本发明提供了一种一步溶液法来制备基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器，器件的结构从下到上依次为柔性衬底、下电极、阻变存储层、上电极，属于非易失性存储器领域。本发明的步骤如下：步骤1、在柔性衬底上沉积金属导电薄膜作为下电极；步骤2、采用一步溶液法沉积全无机钙钛矿薄膜作为阻变存储层；步骤3、在阻变存储层的表面沉积圆形的上金属导电薄膜作为上电极。本发明提供了一种柔性阻变存储器的制备方法，通过一步溶液法沉积出高质量的无机钙钛矿薄膜，制备的器件具有很高的稳定性；通过控制饱和电流和截至电压，阻变器件呈现出多态特性；同时制备的柔性器件具有高的抗弯曲性和优异的电学性能。
📄 2019106764083
📂 H10N70_20
👤 陕西科技大学
📅 2019-07-25
本发明公开了一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，制备氧化铈溶胶；步骤2，采用浸渍‑提拉法，以氧化铈溶胶为原料在室温下使用提拉机在氧化铟(ITO)基板上进行氧化铈凝胶薄膜的提拉，氧化铈凝胶薄膜在室温下干燥后，于300℃‑700℃下进行热处理，冷却后得到氧化铈薄膜；步骤3，使用紫外线对步骤2得到的氧化铈薄膜进行辐照，得到氧化铈忆阻器薄膜。该氧化铈忆阻器薄膜的制备方法具有制备成本低、工艺简单、容易控制等优点。
📄 2019109345679
📂 H10N70_20
👤 重庆博金斯科技有限公司
📅 2019-09-29
本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种In‑Bi‑Sb相变薄膜材料及其制备方法和应用。In‑Bi‑Sb相变薄膜材料中In‑Bi‑Sb的结构通式为InxBiySb100‑x‑y，其中0.1
📄 2019101937669
📂 H10N70_20
👤 江苏理工学院
📅 2019-03-14
本发明提供一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法，其自下至上依次包括底电极、碳化硅纳米线薄膜、PMMA薄膜和顶电极。制备方法包括：步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜；步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器。通过简单快速的方法制备了两端结构的碳化硅纳米线忆阻器，可以很好的模拟大脑突触的基本功能，并且可以模拟更为复杂的树突神经的功能。
📄 2022111745597
📂 H10N70_20
👤 陕西科技大学
📅 2022-09-26
本发明提供基于黑磷‑氧化石墨烯量子点的薄膜、忆阻器及制备方法，薄膜包括依次连接在一起的上层结构、中层结构和下层结构，上层结构和下层结构的材料均为氧化石墨烯纳米片，中层结构的材料为黑磷‑氧化石墨烯量子点复合物。上层结构和下层结构的氧化石墨烯纳米片可以很好的将中间层包覆住，这些氧化石墨烯纳米片中层结构上下表层的黑磷纳米片形成P‑C键。该薄膜制备简单，采用该薄膜制备的忆阻器，在自然环境中放置了3个月还能保持很好的性能。
📄 2022103797763
📂 H10N70_20
👤 陕西科技大学
📅 2022-04-12
本发明属于二进制数据存储技术领域，具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。该表面工程改性二维碳化钛忆阻器，包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层；所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设置在所述改性二维碳化钛层两侧表面的氧化石墨烯层，所述改性二维碳化钛层为天青石蓝改性二维碳化钛层。本发明通过表面工程修饰解决了二维碳化钛类金属导电性问题，扩宽了其在数据存储领域的应用；采用叠层结构的策略解决了单层结构二维碳化钛忆阻器的性能不稳定的问题，有望应用于存储领域。
📄 2022115386095
📂 H10N70_20
👤 苏州科技大学
📅 2022-12-01
本发明提供了一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用，该MXene/NiO异质结的突触器件，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXene/NiO异质结层，所述MXene/NiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXene/NiO异质结层顶面的顶部电极。本发明中的突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应，具有超低能耗，可用于构建人工神经网络系统。
📄 2022110805209
📂 H10N70_20
👤 广东工业大学
📅 2022-09-05
本发明涉及一种利用电脉冲调控的低温可变电阻器，包括电阻器内核和制冷模块；所述电阻器内核是二维电荷密度波材料，电阻器内核在脉冲作用下电阻发生变化；所述的制冷模块，用于降低所述电阻器内核的温度并使电阻器内核恢复初态电阻。利用二维电荷密度波材料在电脉冲作用下的微观结构改变，结合热点制冷技术来实现电阻器件的电阻可变，用热电制冷模块恢复二维材料的电阻，然后可以重新定值。本发明电阻器件的高频和散热特性好，可以达到100A/mm2以上的电流密度，且器件结构简单，易于操控。
📄 2020103405791
📂 H10N70_20
👤 天津理工大学
📅 2020-04-26
本发明公开了一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。该格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，用以有效地提高氧空位浓度，进而有效地提高电阻存储器的阻变性能，解决阻变器件参数的波动性问题。
📄 2020108707637
📂 H10N70_20
👤 西安理工大学
📅 2020-08-26
本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压，生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相，呈现出3个不同电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其10年数据保持温度达到200℃，远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。
📄 2019101461690
📂 H10N70_20
👤 江苏理工学院
📅 2019-02-27
柿子坊 · 知识产权运营
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