发明专利已授权

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法

📄 申请号：CN202211174559.7 📄 发布日：2026/07/10

著录项目信息

申请日

2022-09-26

公开号

CN115623860A

公开日

2023-01-17

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N70_20

IPC 分类号

H10N70_20 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

忆阻器技术忆阻器技术半导体器件纳米材料

应用场景

神经形态计算, 非易失性存储, 逻辑运算电路, 类脑芯片

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摘要

本发明提供一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法，其自下至上依次包括底电极、碳化硅纳米线薄膜、PMMA薄膜和顶电极。制备方法包括：步骤1，在底电极的导电面上覆盖碳化硅纳米线薄膜；步骤2：在步骤1的碳化硅纳米线薄膜上涂覆PMMA溶液，将顶电极以导电面朝下压到PMMA溶液上，热压使PMMA凝固，获得忆阻器。通过简单快速的方法制备了两端结构的碳化硅纳米线忆阻器，可以很好的模拟大脑突触的基本功能，并且可以模拟更为复杂的树突神经的功能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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