发明专利已授权

一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用

📄 申请号：CN202211538609.5 📄 发布日：2026/07/07

著录项目信息

申请日

2022-12-01

公开号

CN116157001B

公开日

2025-12-12

申请人

苏州科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N70_20

IPC 分类号

H10N70_20 , H10B63_00 , H10N79_00 ,

技术画像

所属领域

表面工程忆阻器二维材料纳米电子器件表面工程

应用场景

非易失性存储, 神经形态计算, 人工智能硬件, 新型电子器件, 信息存储

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摘要

本发明属于二进制数据存储技术领域，具体涉及一种表面工程改性二维碳化钛忆阻器及其制备和应用。该表面工程改性二维碳化钛忆阻器，包括导电基底层、金属电极层以及设置在所述导电基底层与金属电极层之间的功能薄膜层；所述功能薄膜层包括改性二维碳化钛层和设置在所述改性二维碳化钛层两侧表面的氧化石墨烯层，所述改性二维碳化钛层为天青石蓝改性二维碳化钛层。本发明通过表面工程修饰解决了二维碳化钛类金属导电性问题，扩宽了其在数据存储领域的应用；采用叠层结构的策略解决了单层结构二维碳化钛忆阻器的性能不稳定的问题，有望应用于存储领域。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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