发明专利已授权

基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法

📄 申请号：CN201810659444.4 📄 发布日：2025/12/09

著录项目信息

申请日

2018-06-22

公开号

CN108832014B

公开日

2020-12-25

申请人

江门市鹏博科技服务有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_52 , H01L51_56 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

量子点发光材料量子点发光材料发光二极管纳米光电材料

应用场景

显示技术, 照明设备, 背光源, 光电器件, 消费电子显示

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摘要

本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P‑Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdS QDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P‑Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P‑Si/PVK/CdTe/CdS QDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201225

✅ 授权

20181211

?? 实质审查的生效：

20181116

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：151 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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