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| 专利/申请号: | CN202011372420.4 | 专利名称: | 一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法 |
| 申请日: | 2020-11-30 | 申请/专利权人 | 河南工程学院 |
| 专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省郑州市新郑市龙湖镇祥和路1号 |
| 专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | H01L51/50 分类检索 |
| 公开/公告日: | 2021-02-09 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号: | CN112349856A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量: | 44 | 所属领域: | QLED 制造技术 电晕放电技术 界面修饰工艺 显示与照明设备研发 量子点发光二极管专利转让搜索 |
应用场景:提升QLED器件性能与稳定性;优化OLED显示面板制备流程;实现高效蓝光发光器件产业化;应用于超高清显示、柔性照明、智能穿戴设备等领域
摘 要:本发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层,空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层,量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层,量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷,从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效,且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
| 专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
| 解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
| 专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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