发明专利已授权

一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法

📄 申请号：CN202011372420.4 📄 发布日：2026/05/26

著录项目信息

申请日

2020-11-30

公开号

CN112349856A

公开日

2021-02-09

申请人

河南工程学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

电晕放电量子点发光二极管界面修饰技术电致发光器件电晕放电

应用场景

显示技术, 照明设备, 光电器件, 量子点显示面板

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摘要

本发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层，空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层，量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷，从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效，且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20251212

?? 专利权的转移：

20220520

✅ 授权

20210302

?? 实质审查的生效：

20210209

📄 公开

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