发明专利已授权

基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法

📄 申请号：CN202011146881.X 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2020-10-23

公开号

CN112201759A

公开日

2021-01-08

申请人

西南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_50

IPC 分类号

H01L51_50 , H01L51_54 , H01L51_56 ,

技术画像

所属领域

量子点发光二极管量子点发光二极管光电器件薄膜光电材料

应用场景

量子点显示, 显示屏幕, 照明光源, 车载显示, 可穿戴设备

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摘要

本发明属于量子点发光二极管技术领域，具体涉及一种基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法，所述串联量子点发光二极管基于所述制作方法制作，包括底部器件和顶端器件，所述底部器件包括从下往上依次层叠设置的阴极、第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层和第一空穴注入层，所述顶端器件包括从下往上依次层叠设置的第二电子注入层、第二量子点发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极，所述底部器件的第一空穴注入层与顶端器件的第二电子注入层层叠设置，所述第一空穴注入层采用PEDOT:PSS‑GO溶液制成，所述第二电子注入层采用含有ZnMgO的溶液制成。本发明提出了一种提高溶液加工量子点发光二极管性能的有效方法。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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