发明专利已授权

一种(Gd1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

📄 申请号：CN201710608242.2 📄 发布日：2026/03/06

著录项目信息

申请日

2017-07-24

公开号

CN107620102B

公开日

2019-11-26

申请人

桂林理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25D9_06

IPC 分类号

C25D9_06 , C03C17_34 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料薄膜材料稀土材料钼酸盐材料

应用场景

发光器件, 光电器件, 显示技术, 传感器, 光学薄膜

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摘要

本发明公开了一种(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Gd(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种直接制备多元稀土层状氢氧化物薄膜的方法

当前第 / 件

一种(La1-xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C25D9_06)

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