专利名称：一种双重保护热保护器件      申请号：2022230707469     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：器件 热保护器 保护器件   相似专利 发布日：2024/06/27  
摘要： 本实用新型涉及热保护器件技术领域，且公开了一种双重保护热保护器件，防护壳体的前侧设置有接线机构，防护壳体的侧面设置有熔断机构，熔断机构包括防护盖板和防护熔断器，防护熔断器设置于第一空腔的内部，防护盖板设置于防护熔断器的外部，第二空腔的内部设置有热保护器主体，本装置区别于原装置，采用可拆卸式的熔断机构，通过防护壳体一侧开设的熔断器卡槽，对防护熔断器进行卡接固定，在防护熔断器熔毁后，可快速将防护熔断器取下并更换，操作方便快捷，可快速完成对防护熔断器的更换作业，可实现电路的快速修复连通，不会影响人们的正常用电，并且不需要对装置整体进行更换，相比于原装置具有更低的更换成本。

专利名称：LDMOS静电保护器件      申请号：2018104827806     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：L 器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区和第二P+注入区互相连接；第一P+注入区、第一N+注入区连接阴极；第三P+注入区、第四N+注入区连接阳极，第三P+注入区、深N阱、第一P阱构成第一PNP型晶体管；深N阱、第一P阱、第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；第二N+注入区、第一P阱、第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。本发明能够在不牺牲SCR结构较强泄放电流能力的同时提高维持电压，避免LDMOS器件发生闩锁，维持鲁棒性。

专利名称：静电保护器件      申请号：2018104965990     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在衬底内设有深N阱，在深N阱内设有第一P阱、第二N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第三N+注入区以及第二P阱，第一P阱内设有第一P+注入区以及第一N+注入区，第二P阱内设有第四N+注入区以及第五P+注入区，第三P+注入区与阳极相连，第一P+注入区和第五P+注入区均与阴极相连，第二多晶硅栅和第三多晶硅栅均与栅极相连。本发明提出的静电保护器件，可有效降低触发电压，提高静电泄放电流能力，满足高压功率集成电路的鲁棒性要求。

专利名称：静电保护器件      申请号：2018104957829     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第一N阱以及第二P阱，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区以及第二N+注入区，第二P阱内从左到右依次设有第三N+注入区、第四N+注入区以及第四P+注入区，第二P+注入区跨接在第一P阱与第一N阱之间，第三P+注入区跨接在第一N阱与第二P阱之间，第一P+注入区以及第一N+注入区均与阳极连接，第四P+注入区以及第四N+注入区均与阴极连接。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，提高器件的ESD鲁棒性。

专利名称：静电保护器件      申请号：201810502138X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。

专利名称：静电保护器件      申请号：2018105020743     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底、在所述衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区以及第一P+注入区，第一P阱内依次设有第二N+注入区、第二P+注入区以及第三N+注入区，第二N阱内依次设有第三P+注入区以及第四N+注入区，第一N+注入区以及第一P+注入区均与阳极相连，第三P+注入区以及第四N+注入区均与阴极相连，静电保护器件的形状为轴对称的八边形。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，增强ESD鲁棒性。

专利名称：静电保护器件      申请号：2018106613318     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内设有P阱和N阱，P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区，N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连；第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连；第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层，第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅，第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层，第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅；第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间，第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。

专利名称：可控硅静电保护器件      申请号：2018105423674     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：硅 器件 保护器件   相似专利 发布日：2024/02/26  
摘要： 本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。

专利名称：一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件      申请号：2014107658271     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件   相似专利 发布日：2023/05/25  
摘要： 一种具有小回滞窗口的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS与SCR构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的PNP管和N阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一齐纳二极管，以降低触发电压，实现具有小回滞窗口的高压ESD保护。

专利名称：一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件      申请号：201410766937X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SCR L 器件 保护器件   相似专利 发布日：2023/05/25  
摘要： 一种LDMOS-SCR类叉指结构的高压ESD保护器件，可用于片上高压IC的ESD保护电路。主要由P型衬底、N型埋层、N阱、P阱、若干个P+注入区、若干个N+注入区、多晶硅双栅和若干场氧隔离区构成。该ESD保护器件可在高压ESD脉冲作用下，形成两条由LDMOS-SCR结构并联构成的ESD电流泄放路径。该电流泄放路径均以寄生的NPN管和P阱电阻为公共支路，以降低器件的电子发射率，提高维持电压和ESD鲁棒性。另一方面，通过在器件内部设计一个寄生的NPN晶体管控制一个浮空LDMOS结构，既可以降低LDMOS-SCR器件的电子发射率，提高维持电压；又能增强浮空LDMOS结构的N型导电沟道的电流泄放能力，提高器件的ESD鲁棒性。

专利名称：一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件      申请号：2015109552420     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SCR 器件 保护器件   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、第六N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层、若干浅隔离槽构成。该器件一方面在正、反向的ESD脉冲作用下，器件内部均存在一条结构对称，电学特性完全相同的ESD电流泄放路径，可提高器件的ESD电流泄放能力，实现ESD脉冲的双向防护，另一方面由NMOS M1和M2管构成的叉指NMOS结构与寄生P阱电阻形成阻容耦合电流路径，以增强器件的ESD鲁棒性，降低SCR电流导通路径中的电流密度，增大SCR的导通电阻，提高维持电压。