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摘 要:本发明提供一种静电保护器件,包括衬底,衬底上设有深N阱,深N阱内设有P阱和N阱,P阱内设有第一P+注入区、第一N‑base注入层和第一N+注入区,N阱内设有第二N‑base注入层、第二N+注入区和第二P+注入区;第一P+注入区、第一N+注入区与阴极相连;第二N+注入区、第二P+注入区与阳极相连;第一P+注入区与第一N+注入区之间设有第一薄栅氧化层,第一薄栅氧化层上覆盖有第一多晶硅栅,第二N+注入区与第二P+注入区之间设有第二薄栅氧化层,第二薄栅氧化层上覆盖有第二多晶硅栅;第二N‑base注入层跨接在P阱和N阱之间,第一N‑base注入层位于第一N+注入区的下方。本发明能够解决触发电压高、抗总剂量能力弱的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810661331.8 | 专利名称: | 静电保护器件 |
申请日: | 2018-06-25 | 申请/专利权人 | 湖南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 器件 保护器件搜索 |
公开/公告日: | 2018-11-13 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108807373A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/04/13 | 授权 | |
2018/12/07 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201810661331.8 申请日: 2018.06.25 |