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摘 要:本发明提供一种静电保护器件,包括衬底,在衬底内设有深N阱,在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱,第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区,第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间,在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区,在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区,第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间,第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构,第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件,可提高维持电压,降低触发电压,增强静电泄放能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810502138.X | 专利名称: | 静电保护器件 |
申请日: | 2018-05-23 | 申请/专利权人 | 湖南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 器件 保护器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108899314B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/05/12 | 授权 | |
2018/12/21 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201810502138.X 申请日: 2018.05.23 |
2018/11/27 | 公开 |