可控硅静电保护器件

摘     要：本发明提供一种可控硅静电保护器件，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内设有P阱和N阱，所述P阱内设有第一N+注入区、第二N+注入区和第一P+注入区，所述N阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区和第三P+注入区；所述第一N+注入区、所述第三N+注入区、所述第二P+注入区与阳极相连，所述第二N+注入区、所述第一P+注入区、所述第三P+注入区与阴极相连；所述第二N+注入区、所述P阱、所述N阱构成NPN结构，所述P阱、所述N阱、所述第三P+注入区构成PNP结构，形成可控硅结构；所述第一N+注入区和所述P阱构成第一反偏二极管，所述第三P+注入区和所述N阱构成第二反偏二极管。本发明能够解决触发电压过高的问题。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2021/04/13	授权
  2018/11/27	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201810542367.4 申请日: 2018.05.30
  2018/11/02	公开