集成电路设计类专利转让、成果转化、技术转移、商标买卖平台

类型
法律状态
检索范围
名称/领域

专利名称：一种混合型CMOS-忆阻全加器电路申请号：2021104560229 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：集成电路设计新型存储器技术模拟与混合信号电路相似专利发布日：2025/09/02
摘要：本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8，第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和截止来实现全加运算的功能，电路结构简单，对忆阻数字逻辑电路的研究具有重大意义。

专利名称：一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路申请号：202011282372X 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：集成电路设计数字电路忆阻器应用异步逻辑电路 CMOS技术相似专利发布日：2025/09/02
摘要：本发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路，电路具有非易失的特点并且带有异步置位复位功能。整个电路包括三个模块：前级忆阻D锁存器模块，后级忆阻D锁存器模块以及异步忆阻置位复位模块。前级忆阻D锁存器模块包括MOS管T1、T2、T3、T4和T5，忆阻器M1，电阻R1以及2个CMOS反相器N1和N2；后级忆阻D锁存器模块包括MOS管T6、T7、T8、T9和T10，忆阻器M2电阻R2以及2个CMOS反相器N5和N6；异步忆阻置位复位模块包括忆阻器M3、M4、M5、M6、M7、M8和M9，以及2个反相器N7和N8；还有用于时钟输入的2个CMOS反相器N3和N4。电路利用了Biolek阈值型忆阻器，该模型具有阈值特性以及记忆特性，利用这种忆阻器模型使得整个电路结构简单，响应速度快。

第1页/共1页;本页2条记录/共2条记录

第页

用户指南

交易方式

专项服务

关于柿子坊

关注微信公众号

联系我们

咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com

专利转让_商标转让_知识产权转让评估买卖_智来柿子坊专利交易平台