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摘 要:本发明请求保护一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路,通过采用“镜像”结构使得自举电容增大为传统电路的2倍,提高采样开关线性度;采用钟控虚拟MOS管吸收相关MOS管产生的沟道电荷的技术,抑制沟道电荷注入;采用钟控反相器输出端驱动NMOS管M10与NMOS管M12的结构,减小采样开关管M11栅极节点的寄生电容,抑制电路电荷共享,在采样开始阶段,NMOS管M10和NMOS管M12分别与PMOS管MOS管M5和PMOS管M13同时导通,加快采样开关的导通速度,在采样到保持转换瞬间,PMOS管M8与NMOS管M9组成电路以及PMOS管M16与NMOS管M17组成电路有一段时间同时保持导通,加快采样开关的关断速度。本电路有效地提高了栅压自举采样开关电路的线性度及开关速度,从而有效地改善了栅压采样开关电路整体性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910842185.3 | 专利名称: | 一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路 |
申请日: | 2019-09-06 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K17/042搜分类 电子 采样 开关电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |