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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202011282372.X | 专利名称: | 一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路 |
申请日: | 2020-11-17 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下沙高教园区二号路 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K3/356 分类检索 |
公开/公告日: | 2023-08-11 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN112332813B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 5 | 所属领域: | 集成电路设计 数字电路 忆阻器应用 异步逻辑电路 CMOS技术专利转让搜索 |
应用场景:高速数据处理系统;低功耗存储单元;神经形态计算芯片;物联网传感器节点;边缘计算设备
摘 要:本发明公开了一种带异步置位复位的CMOS混合型边沿忆阻D触发器电路,电路具有非易失的特点并且带有异步置位复位功能。整个电路包括三个模块:前级忆阻D锁存器模块,后级忆阻D锁存器模块以及异步忆阻置位复位模块。前级忆阻D锁存器模块包括MOS管T1、T2、T3、T4和T5,忆阻器M1,电阻R1以及2个CMOS反相器N1和N2;后级忆阻D锁存器模块包括MOS管T6、T7、T8、T9和T10,忆阻器M2电阻R2以及2个CMOS反相器N5和N6;异步忆阻置位复位模块包括忆阻器M3、M4、M5、M6、M7、M8和M9,以及2个反相器N7和N8;还有用于时钟输入的2个CMOS反相器N3和N4。电路利用了Biolek阈值型忆阻器,该模型具有阈值特性以及记忆特性,利用这种忆阻器模型使得整个电路结构简单,响应速度快。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2025/06/24 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2025.06.06 专利权人由杭州电子科技大学变更为广州雏鸟信息科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区二号路变更为510000 广东省广州市黄埔区科丰路85号2621房 |
2023/08/11 | 授权 | |
2021/02/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H03K 3/356 专利申请号: 202011282372.X 申请日: 2020.11.17 |
2021/02/05 | 公开 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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