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发明专利
已授权
一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路
📄 申请号:CN201911155869.2
📄 发布日:2026/07/20
著录项目信息
申请日
2019-11-22
公开号
CN110794913A
公开日
2020-02-14
申请人
重庆邮电大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G05F1_575
IPC 分类号
G05F1_575
技术画像
所属领域
模拟集成电路
模拟集成电路
基准电压源
负反馈电路
应用场景
电源管理, 数据转换器, 传感器电路, 模拟芯片, 汽车电子
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摘要
本发明请求保护一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路,属于微电子技术领域。包括带隙基准电流源偏置电路以及带隙基准核心电路等。本发明采用共源共栅结构为带隙基准核心电路提供偏置电流信号来提高带隙基准的电源抑制比,带隙基准核心电路采用负反馈箝位技术取代传统运算放大器箝位技术来产生正温度系数电流IR2a及IR4,正温度系数电流IR2a在电阻R2a以及正温度系数电流IR4在电阻R4上产生正温度系数的压降分别与NPN型三极管Q3的基极‑发射极电压加权实现高性能的带隙基准参考电压,从而实现一种采用负反馈箝位技术的带隙基准电路。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20200804
✅ 授权
20200310
?? 实质审查的生效 :
20200214
📄 公开
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📋 交易方式:
委托待转让
📌 交易状态:
在售
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📋 项目申报:
未申报
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