发明专利已授权

一种CVD方法制备多功能的镍掺杂二硫化钼原位电极

📄 申请号：CN201810196377.7 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2018-03-09

公开号

CN108517534A

公开日

2018-09-11

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B1_04

IPC 分类号

C25B1_04 , C25B11_06 ,

技术画像

所属领域

化学气相沉积化学气相沉积二硫化钼材料电极材料

应用场景

电解水制氢, 电催化, 储能器件, 超级电容器, 传感器

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摘要

本发明提供一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂，获得Ni-Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。本发明的技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等优点，可用于HER、OER和ORR的多功能电催化剂。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200623

✅ 授权

20181009

?? 实质审查的生效：

20180911

📄 公开

一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法

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