本发明提供了主动重构开关组合调制的T型三电平逆变器谐波抑制方法，涉及电力电子技术领域，本方法针对现有方法依赖精确建模、动态适应性差的问题，通过实时采集三相输出电压并提取谐波偏差矢量，根据其方向角查表选择对应的开关管组合作为调制模式，主动屏蔽所选开关管的驱动脉冲以改变基本电压矢量的可用集合；建立调制时间修正量的线性方程组并重构SVPWM调制时间，合成与原有谐波偏差反向的补偿电压，经闭环迭代直至谐波偏差低于阈值。本方法不改变主电路、不依赖精确数学模型、不影响基波控制，通过动态重构开关组合实现定向谐波抵消，有效降低总谐波畸变率，适配电机驱动、新能源并网等高电能质量场景。
📄 2026107194405
📂 H02M1_12
👤 华侨大学
📅 2026-05-25
本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。
📄 2022105063124
📂 H10D84_60
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明涉及一种具有低电阻与密勒电容的新型非对称沟槽SiC MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括：衬底；形成于衬底一表面的漂移区；形成于漂移区表面的N‑CSL；形成于N‑CSL表面一侧的低势垒二极管；形成于N‑CSL表面另一侧的第二P‑well；形成于低势垒二极管表面且位于低势垒二极管两侧的沟槽栅和辅助沟槽栅；形成于N‑CSL表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的P‑base；形成于P‑base表面且位于第二P‑well和沟槽栅之间的源极N+区；形成于器件顶部的源极电极；形成于衬底另一表面的漏极电极。本发明可降低器件的比导通电阻，降低器件的密勒电容和栅极电荷，提高器件开关速度。
📄 2024116079572
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2024-11-12
本发明涉及一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件在栅极的多晶硅掺杂区和漏极N+区之间加入P‑pillar区形成了超结延伸栅，通过引入超结延伸栅，使得器件在正向导通情况下，栅极加正电压并将电压延伸至整个P‑pillar，器件在漂移区内靠近氧化层区域形成了电子积累区，从而降低了器件比导通电阻、提高了跨导；而在阻断耐压的情况下，器件漏极加高压，P‑pillar区和漂移区之间会产生相互耗尽的作用，共同调制优化MOSFET器件漂移区的电场分布，使器件得到较高的击穿电压BV，从而获得更高的器件优值，最终改善器件的静态性能。
📄 2025103480189
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2025-03-24
本发明涉及一种集成双自偏置MOS的SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。该器件结构上呈现对称状态，包括主MOS、自偏置PMOS和自偏置NMOS，其中，在主MOS的两侧均集成有自偏置PMOS和自偏置NMOS。本发明通过集成自偏置PMOS实现了在正向导通时，自偏置PMOS关断，P‑well区域的浮空，降低了器件的导通电阻；在阻断情况下，自偏置PMOS实现导通，对P‑well区域实现了钳位，相比完全浮空器件有效地保护了器件的栅氧化层。通过集成自偏置NMOS实现了第三象限的续流功能，且该条件下，P‑well处于浮空状态，体二极管不可能被导通，完全避免了双极退化效应。
📄 2025103480210
📂 H10D30_66
👤 重庆邮电大学
📅 2025-03-24
本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。
📄 2024116394524
📂 H02M1_00
👤 南通大学
📅 2024-11-18
本实用新型属于开关技术领域，具体公开了一种配电旋转开关，包括外壳，所述外壳的顶部固定安装有保护座，所述保护座的内部设置有旋转操作杆，所述外壳的底部设置有连接盒，所述连接盒的外表面设置有配电点，所述配电点的外周设置有用于提高线缆抗拉扯性的抗拉机构，所述抗拉机构包括固定连接连接在连接盒外表面的固定块，所述固定块远离连接盒的一端固定连接有固定卡夹，通过抗拉机构可提高线缆在日常使用过程中的抗拉扯性。该配电旋转开关，线缆连接在配电点的端头处可穿过固定卡夹与活动卡夹，通过抗拉机构将其紧紧裹缚住，在日常使用中被拉扯到也不容易产生松动，抗拉性得到一定程度的提升，电气连接过程中也就更加稳定。
📄 2023219117098
📂 H01H19_02
👤 西安沃锐诺机电设备有限公司
📅 2023-07-20
本实用新型公开了一种操作便捷的空气开关及浪涌保护器装配保护盒，涉及开关保护盒技术领域，包括底壳，底壳表面铰接有透明盖板，底壳的下表面固定连接有两个延长片，底壳的内壁可拆卸式安装有两个档片，两个延长片的表面均开设有安装腔，两个安装腔的内壁共同卡接有带弹扣片，底壳的下表面固定连接有四个弹扣，四个弹扣的表面均设置有燕尾槽，透明盖板的上表面设置有透明盖板凸起，透明盖板和透明盖板凸起一体注塑成型，本实用新型通过上述结构之间的相互配合，具备方便安装、可扩充安装开关的数量，以及装配稳定性好的效果，解决了传统保护盒安装不便、一个保护盒只能安装一个开关，以及成本较高和安全性能较差的问题。
📄 2021222352662
📂 H01H9_02
👤 深圳市雷祺智能科技有限公司
📅 2021-09-15
本实用新型公开了一种空气开关及浪涌保护器装配保护盖，包括保护盖壳体，所述保护盖壳体包括多个排线孔，所述保护盖壳体的内侧均匀设置有多个安装腔，且安装腔与排线孔相对应，多个所述安装腔的内侧均安装有第一固定机构，多个所述排线孔的边缘均设有遮挡机构，且遮挡机构固定安装在保护盖壳体的表面，多个所述排线孔的边缘均设有固定板。本实用新型中，通过设置的第一固定机构与第二固定机构取代原有的螺钉固定机构，安装更加方便，同时通过两个固定机构进行双重固定，有效避免电线发生松动，同时通过设置的遮挡机构，能够将排线孔遮挡，避免排线孔未使用时进入灰尘和垃圾，避免造成内部损伤。
📄 2021218575649
📂 H01H71_02
👤 深圳市雷祺智能科技有限公司
📅 2021-08-10
本发明公开了一种十一开关箝位型三相光伏逆变器的控制方法，属于电力直流‑交流变换技术领域。具体方法为：将光伏逆变器的正弦调制波ura、urb、urc分别和三角载波uc交截，通过比较器比较后得到预处理信号u1、u2、u3、u4、u5和u6；通过对预处理信号的判断，得到光伏逆变器的六个正常工作模态和两个续流模态；使用比较器分别对预处理信号u1、u2、u3、u4、u5和u6进行比较，以得到驱动信号ug1、ug2、ug3、ug4、ug5、ug6、ug7、ug8、ug9、ug10和ug11。本发明的光伏逆变器的控制方法通过在正常工作模态时，控制共模电压为Ud/3或2Ud/3；在续流模态时，箝位开关管将共模电压双向箝位在Ud/2处，故，本发明的光伏逆变器的漏电流抑制效果更好，更能保障设备和人身的安全。
📄 202210086951X
📂 H02M7_5387
👤 南京邮电大学
📅 2022-01-25
本发明提供了一种十一开关箝位型三相光伏逆变器拓扑，包括光伏电池(PV)、三相全桥逆变电路、续流电路、箝位电路、三相输出LC滤波电路和三相负载。相较于现有技术，本发明增加了特有的续流电路和箝位电路来抑制漏电流，续流回路为三相逆变器的电流提供续流通路，续流电流不经过性能较差的体二极管；续流过程中可以断开光伏电池和三相交流输出的连接，构建独立于光伏电池的续流回路；箝位电路使共模电压双向箝位至1/2的母线电压，以利于抑制逆变器漏电流。
📄 2021116115378
📂 H02M7_487
👤 南京邮电大学
📅 2021-12-27
本实用新型公开了一种电动牙刷的开关防水结构，涉及电动牙刷技术领域，具体包括电动牙刷和套筒，所述电动牙刷的表面设有牙刷控制开关，所述套筒套设于电动牙刷的外侧，所述套筒的内侧固定连接有两个第一橡胶圈，所述套筒位于电动牙刷的外侧且靠近牙刷控制开关的位置处。将套筒套设于电动牙刷的外侧，使得套筒与牙刷控制开关的位置相互对应，并使其两个第一橡胶圈与电动牙刷的表面紧密贴合，从而有效利用套筒与第一橡胶圈实现对牙刷控制开关的遮挡防护效果，可有效避免外界水液通过牙刷控制开关与电动牙刷之间所存在的缝隙渗入至牙刷内部而造成元件损坏，从而使得该电动牙刷的安全系数更高，更有利于推广使用。
📄 202221551333X
📂 A61C17_22
👤 人仁众通信技术(深圳)有限责任公司
📅 2022-06-20
柿子坊 · 知识产权运营
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