本发明涉及超疏水自发光钢‑混组合防护栏的施工方法，该体系包括混凝土底座，设置有水泥墩穿管穿孔和立柱穿孔；采取柱双挂的方式，使用连接螺栓将横隔梁与两个双波波形板连接在一起，立柱底部设有螺纹；各双波波形板之间通过拼接螺栓连接在一起；立柱通过螺母将冲击力传递给混凝土底座。本发明的有益效果是：超疏水自发光钢‑混组合防护栏各组成之间采用拼接的方式，自重小，便于携带和使用。相较于常用的临时施工区域防护方式，可承受的冲击力更大，提高了安全等级，对于施工人与和施工区域的保护更加优良，在没有外接电源的时候，夜间较长时间发光，提醒路过车辆，减少事故发生的次数。
📄 2019103099420
📂 E01F15_02
👤 山东大学
📅 2019-04-17
本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种超细高熵固熔体粉末及其制备方法和应用。所述固熔体粉末是将金属氧化物和无定型硼粉为原料粉体，加入溶剂和球磨介质进行混合，干燥后得到混合粉体，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在真空条件下进行热处理，先升温至800～1200℃保温Ⅰ，再升温至1400～1600℃保温Ⅱ，经研磨过筛制得，所述氧化物为HfO2、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、TiO2或MoO3中的一种以上，所述金属氧化物中金属原子间的摩尔比相同。该固熔体粉末存在均一固熔体相，具有颗粒尺寸小，组分均匀稳定的优点。
📄 2018111968758
📂 C04B35_58
👤 广东工业大学
📅 2018-10-15
本发明公开了一种注意力机制增强的图像超分辨率重建方法，包括构建卷积神经网络、训练神经网络、首部特征抽取模块对原始图像进行特征抽取、各个滤性特征抽取模块依次进行特征提取操作、将后级特征图输入上采样模块，上采样模块重建并输出分辨率大于原始图像的重建图像等步骤。两个空间校准模块互相配合互补，使得滤性特征抽取模块对不同类型的特征信息都具有比较精准的抽取能力；多个滤性特征抽取模块沿着网络的深度方向首尾连接，最终达到过滤消除不同层级中重复图像信息的效果，后级特征图中保留更多的有效图像信息，有利于在高分辨率图像中重建出高频细节特征。
📄 2022108123841
📂 G06T3_40
👤 四川轻化工大学
📅 2022-07-11
本发明提供的是一种全光纤STED超分辨显微照明装置，该装置主要由激光器1、延时单元2、光束生成器3组成。其中，光束生成器3主要由一段双包层光纤4和偏振控制器5构成。光束生成器3可以把由激光器1发出的短波激光6和长波激光7分别转化为高斯形激发光8和中空环形损耗光9，由于生成的这两束光的光斑中心完全重合，并且后者经过延时单元2的延时后，这两束光先后照射到荧光样品10上，发生受激发射损耗(STED)，激发出光斑极小的荧光11，最终分辨率不再受光的衍射所限制，从而打破衍射极限，实现全光纤STED超分辨显微照明。本发明的优点在于光束生成器的高度集成化，使得设备更加灵活稳定。
📄 2018115201660
📂 G02B21_00
👤 桂林电子科技大学
📅 2018-12-12
本发明提供的是一种超光滑表面粗糙度测量系统。其特征是：它由激光光源1、单模光纤2、环形器3、双芯光纤4、高精度位移控制模块5、待测样品6、物镜7、电荷耦合器件(CCD)8、光电探测器9和计算机10组成。其中单模光纤2和双芯光纤4经过熔融拉锥(FBT)后可将光耦合进入双芯光纤4。双芯光纤4的末端端面镀有反射膜4‑1，反射膜4‑1将双芯光纤4其中一路光信号重新耦合至光纤中作为参考光；另一路光垂直入射在待测样品6表面发生镜面反射和漫反射。其中携带待测样品6表面粗糙度信息的镜面反射光将重新耦合进入光纤中作为信号光。参考光和信号光在FBT处发生干涉，干涉信号通过单模光纤2经环形器3输出至计算机10，得到待测样品6的表面粗糙度。
📄 2020102764797
📂 G01B11_30
👤 桂林电子科技大学
📅 2020-04-10
本发明提供的是一种超微量取样反射式光纤拉曼探针及制作方法。包括同轴双通道光纤，在所述同轴双通道光纤的端面经过精细研磨形成一个旋转对称反射光学结构，在研磨好的结构上镀有反射膜，在同轴双通道光纤的端面还刻蚀有一个盛放微纳尺寸物质的凹槽；同轴双通道光纤的环形芯用于激发光的传输，同轴双通道光纤的中间芯用于拉曼散射光的收集，镀有反射膜的旋转对称反射光学结构对环形芯传输的激发光反射汇聚、汇聚于盛放在凹槽内的待测物质上，生成的拉曼散射光被中间芯收集并传输至光谱仪中进行分析。本发明通过光纤端锥体加工技术，极大地增强了光与痕量物质相互作用的效率，能实现对微生物、活体单细胞等微小粒子的拉曼光谱的有效激发和获取。
📄 201611215143X
📂 G01N21_65
👤 桂林电子科技大学
📅 2016-12-26
本发明公开一种F‑SiO2 Janus微球及基于其的一种超疏水涂料，该F‑SiO2 Janus微球的制备方法为将SiO2纳米球以及十六烷基三甲基溴化铵加入水与甲苯的两相溶剂中，然后调节体系的pH值为7~8，加入巯丙基三甲氧基硅烷反应，制得巯丙基三甲氧基硅烷改性SiO2纳米球；将催化剂、1H,1H,2H,2H‑全氟癸基丙烯酸酯以及所述巯丙基三甲氧基硅烷改性SiO2纳米球加入丙酮中，超声分散均匀，在冰浴环境中，通过紫外光照引发反应，制得所述F‑SiO2 Janus微球。本发明制得的F‑SiO2 Janus微球作为填料加入树脂中形成的涂层具有良好的超疏水性能。
📄 202411744013X
📂 B01J13_02
👤 陕西科技大学
📅 2024-11-30
本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+区组成，LDMOS导电区由源极P+区、源极N+区、P‑body、漂移区、漏极N‑buffer区、漏极N+区组成。本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
📄 2021111392001
📂 H10D30_65
👤 重庆邮电大学
📅 2021-09-26
本发明涉及一种具有屏蔽效应的超结P柱和N‑沟道的4H‑SiC基VDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件包括P+多晶硅漏极、N+衬底区、P柱屏蔽区、N柱区、P‑电场终止区、二氧化硅隔离层、P+多晶硅栅电极、P+多晶硅源电极Ⅰ、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区；其中P+多晶硅漏电极、N+衬底区、N柱区、P+多晶硅源电极Ⅱ、N‑沟道区和N+源区组成器件的导电区；N柱区和P‑电场终止区组成器件的漂移区；P柱屏蔽区和N柱区组成器件的横向超结。本发明在传统4H‑SiC基VDMOS器件基础上，在垂直漂移区引入超结结构、整体非对称结构以及N‑沟道区，提高了器件的击穿电压，大幅降低了米勒电容和反馈电容，提升了器件的动态性能，降低了沟道电阻和比导通电阻。
📄 2022105062653
📂 H10D62_10
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-10
本发明涉及电磁吸波技术领域，具体公开了基于超材料和磁性泡沫材料的轻质宽带吸波器及制备方法，轻质宽带吸波器包括介质层和超材料层，所述超材料层设置在介质层的一个表面上，所述超材料层由若干吸波单元周期性排列而成，所述吸波单元由十字形结构和端点对称方框结构组成，所述十字形结构位于中心，端点对称方框结构设置在十字形结构外侧；所述十字形结构和端点对称方框结构之间无接触；所述介质层为磁性泡沫，所述磁性泡沫是由磁性金属添加物均匀混合分布在聚氨酯泡沫制备而成。本发明的轻质宽带吸波器不仅兼具体积小、和密度低，且3GHz‑18GHz具有90％以上的吸收率。
📄 2023103999651
📂 H05K9_00
👤 重庆邮电大学
📅 2023-04-14
本发明公开了一种超表面加载低互耦贴片天线，具体涉及微波通信技术领域，解决了现有技术中超表面加载低互耦贴片天线无法实现方向图解耦，并且部分设计存在剖面较高，带宽较窄的技术问题；其技术方案为：通过金属贴片和非对称H型空气槽构成的超表面结构额外提供了一个空间耦合路径，并利用超表面结构调节信号的幅相分布，与原耦合路径的信号幅度相等；本发明可解决端口和方向图同时解耦的难题，同时兼顾低剖面和宽带性能。
📄 2025101395285
📂 H01Q15_00
👤 南通大学
📅 2025-02-08
本发明公开了一种超紧凑绝热模式耦合器的设计方法，属于耦合器技术领域；其技术方案为：超紧凑绝热模式耦合器的设计方法包括以下步骤：步骤1：绝热模式耦合器的分段：耦合器分为C和D两部分，由于结构的对称性，只考虑C部分，将C部分分为15个不同的片段进行仿真；步骤2：确定每个片段的长度；步骤3：使用步骤2中得到的传播长度L构造各自的区域，然后将所有片段拼接在一起形成完整的波导形状；步骤4：扫描总长度，以获得完整绝热模式耦合器的传输曲线；步骤5：根据应用需求，选择要使用的器件长度。本发明的有益效果是：本发明实现一个波导中光束功率部分或完全耦合到另一个波导，其结构简单、尺寸小、带宽大、易加工。
📄 2021114765028
📂 G02B6_12
👤 南通大学
📅 2021-12-06
柿子坊 · 知识产权运营
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