本发明公开一种Ⅲ‑Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法。该方法是首先建立Ⅲ‑Ⅴ族HEMT本征结构和非本征结构模型，结合器件的物理结构和行为机理，构建拓扑结构，再将建立的模型嵌入商用EDA工具；然后对实际耗尽型器件进行在片测试，获得器件的各种性能测试数据；最后对集约型模型进行验证。本发明解决了现有的器件电流、电荷方程无法积分、分段点不连续、无法用于非线性电路仿真等问题，通过求解表面势源头方程推导模型电流、电荷/电容方程的方法，解决现有物理模型存在的量子效应处理的物理问题和经典载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题；重新推导体电荷密度计算公式，解决了电荷模型中难以胶合问题。
📄 2015107997078
📂 G06F17_50
👤 杭州电子科技大学
📅 2015-11-19
本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图；调整门极‑漏极电容Cgd、门极‑源极电容Cgs、阈值Vth、跨导gf和源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。本发明有效提高SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。
📄 2018112882858
📂 G06F30_33
👤 西安理工大学
📅 2018-10-31
本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O1，运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接到外加正弦电压源，电阻R0的的另一端接地，运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接，运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接，运算放大器O2的正输入端接地，运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接，乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接，乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M2的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。
📄 2018114886957
📂 G06F30_367
👤 西安理工大学
📅 2018-12-06
本发明涉及电路参数优化技术领域，公开了一种改进的深度确定性策略梯度算法的电路参数优化方法，包括如下步骤：S1、根据hspice仿真工具对电路的性能指标进行初始仿真，得到仿真网表数据；S2、将电路仿真网表数据作为模拟集成电路自定义的系统环境；S3、根据初始仿真网表数据，获取网表中的最优仿真数据作为系统奖励值；S4、对电路系统环境，增加约束条件，增加电路可行性。本发明通过不断进行网络更新优化，使生成的电路性能参数可以达到甚至优于人工设计水平的模拟集成电路，以获取最大系统奖励值为目标，不断优化电路参数，得到更好的奖励值，即获得更好的电路性能指标。
📄 2022104672750
📂 G06F30_27
👤 广州大学
📅 2022-04-29
本发明涉及电路设计技术领域，且公开了一种基于线性编码的电路拓扑及参数表示方法，包括以下步骤：S1、定义元件信息、S2、元件添加、S3、元件引脚连接、S4、各单元连接、S5、检查并输出电路、S6、参数优化、S7、拓扑结构优化。该基于线性编码的电路拓扑及参数表示方法，通过表示电路中元件的连接关系及参数信息，能够对元件的连接关系及参数信息进行修改，支持电路的保存与读取，能够检查电路的连接关系及参数信息正确性，能够与电路网表相互转换使得编码可以转化为电路网表进行电路仿真，能够表示待优化电路及固定电路使得编码适配电路拓扑结构优化算法，使本发明具有集成完整性强等优点。
📄 2022104609973
📂 G06F30_323
👤 广州大学
📅 2022-04-28
本发明公开了一种辅助电路参数优化的SPICE电路网表生成方法，通过设置SPICE的.option语句对仿真过程进行一组配置，默认的，我们这里使用一组option语句，可以做到只在参数优化前进行电路的可行性检验，在参数优化过程中不检查电路结构，不生成仿真图形文件，最大减少仿真时间，在优化完成后生成波形文件并进行显示，遵守设定的规则下，用户也可以按照自己的需要自行配置,设置元器件库,可以选择用户使用的元器件库。该辅助电路参数优化的SPICE电路网表生成方法，通过在决定了电路的结构之后，可以通过该方法构建合理的SPICE仿真流程，之后再通过多种优化器对电路仿真模型进行寻优，寻找最优的电路参数组合。
📄 2022104280415
📂 G06F30_373
👤 广州大学
📅 2022-04-22
本发明提供了一种基于SQP算法的电路参数优化方法，包括S1，通过待优化电路的器件的参数生成向量x；S2，通过待优化电路的约束条件和目标性能指标定义向量y；S3，通过采样算法在样本空间(X,Y)中进行采样,调用电路仿真软件获得仿真结果,采样得到的参数对(x,y)组成训练集；S4，通过拟合y＝f(x)的函数关系，构建神经网络模型；S5，通过序二次规划算法对S4中产生的神经网络模型进行寻优，获得最优解。本发明使用神经网络构建仿真模型可以在调用电路仿真软件次数更少的情况下，更加准确全面的描述样本空间的分布。可以从全局角度获取到该结构下最优的电路参数组合。使用SQP算法的容易的获得全局最优解，而摆脱局部最优解的收敛。
📄 2021113874738
📂 G06F30_27
👤 广州大学
📅 2021-11-22
本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。
📄 2022113828787
📂 G06F30_39
👤 广西师范大学
📅 2022-11-07
本发明涉及SPICE行为模型建立、电力电子电路设计和闭环控制仿真领域，尤其是涉及的是一种适用于SPICE电路仿真的脉冲频率调制器的行为模型，该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立脉冲频率调制器来模拟脉冲频率调制行为模型，该模型包括第一调制信号电路、第二调制信号电路、第三调制信号电路、第一比较器以及第二比较器。本发明中压控电压源的电压输入端输入的是两个电压信号，一个为与输入脉冲频率调制器的控制频率等值的电压信号，另一个为与输入脉冲频率调制器的苏区时间等值的电压信号，使得该行为模型输出的频率具有可调节性且含有死区时间。
📄 2021110953390
📂 G06F30_367
👤 闽南理工学院
📅 2021-09-17
本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。
📄 2020102190805
📂 H01L29_737
👤 燕山大学
📅 2020-03-25
本发明公开了一种基于遍历导线的获取电路有向图的方法，包括以下步骤：步骤一，提供所需要的仿真电路原理图；步骤二，选取步骤一所获取的仿真电路原理图中的任意一条导线，并将选取的导线计入一级节点集合，判断所选取的导线两端所连接的模型；本发明提供的基于遍历导线的获取电路有向图的方法原理简单易懂且易于实现，极大的简化了传统人工提取电路有向图的复杂性，为电路仿真软件产品提供一个有效的技术基础。
📄 2020105443942
📂 G06F30_392
👤 汪子岩
📅 2020-06-15
本发明公开一种基于压控忆阻器的隐藏吸引子混沌系统及电路。根据非理性压控忆阻器的数学模型，实现了将压控忆阻器应用到一种含有隐藏吸引子混沌系统中的新方法，扩大了忆阻器的应用范围，并增加了含有隐藏吸引子混沌系统的种类。同时，本发明提出了用含有压控忆阻器的模拟电路实现该系统的方法，电路仿真实验结果表明，所设计的电路与数值仿真结果一致，这为含有忆阻器的混沌系统提供了可靠的物理实现方法和数学依据。
📄 201910333099X
📂 G06F30_36
👤 合肥龙智机电科技有限公司
📅 2019-04-24
柿子坊 · 知识产权运营
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