本发明涉及一种GOA电路、GOA单元及驱动方法、阵列基板，属于显示技术领域。该GOA电路包括双边驱动的N级级联设置的GOA单元，第n级GOA单元包括11个薄膜晶体管以及两个自举电容。在GOA电路中通过在第一薄膜晶体管漏级与第一节点之间设置第七薄膜晶体管，抬高第三节点电位，使第一薄膜晶体管、第七薄膜晶体管完全关闭，抑制第一节点漏电；通过在第六薄膜晶体管与启动信号之间增加第二电容，利用第二电容耦合效应，使第二节点电位下拉到低于恒压低电平信号电位，使第九薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管完全关闭，抑制输出信号漏电。双边驱动GOA电路单侧只需要两根时钟信号线，两根恒压电平信号线，有利于GOA电路窄边框化。
📄 2022113023167
📂 G09G3_20
👤 重庆邮电大学
📅 2022-10-24
本发明涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法，属于电子电路领域。该像素驱动电路工作在扫描阶段和驱动阶段时，像素驱动电路通路中使用氧化物薄膜晶体管，减少电路工作过程中电路中漏电流；该像素驱动电路通过扫描阶段完成驱动薄膜晶体管源极电压的初始化和数据电压的输入，从而补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的变化和有机发光二极管阈值电压的衰减对像素电路产生的影响；通过信号控制使得有机发光二极管仅在发光阶段有电流经过，避免了LTPO屏幕的闪烁现象，降低了功耗；该像素驱动电路将电路的工作周期分为扫描阶段和驱动阶段，该电路的扫描阶段和驱动阶段互相无影响，使得该像素驱动电路适用于高刷新率LTPO显示面板。
📄 202210492091X
📂 G09G3_3225
👤 重庆邮电大学
📅 2022-05-07
本发明公开了一种一致高分子有机聚合物链取向薄膜及基于该薄膜的晶体管的制备方法，涉及半导体器件物理领域，一致高分子取向薄膜是在衬底上通过以Langmuir‑Blodgett工艺制备而成，其有机聚合物链依靠其范德华力保持一致取向，通过在有机溶剂DPPT‑TT中配备一定浓度的PMMA溶液，可以改变有机聚合物链互相间受力方式，再通过本专利中的制备方式所制备出的有机器件，可以使其在不同环境中有机聚合物链一致取向排列所受影响大大降低。一致高分子取向薄膜有效的提高了有机场效应晶体管的迁移率，使亚阈值摆幅得以降低。同时，一致高分子有机聚合物链的保护方法使有机场效应晶体管的迁移率收敛性得到较大提高，晶体管性能一致性更加明显。
📄 202310088394X
📂 C09D165_00
👤 南京邮电大学
📅 2023-02-09
一种模拟神经突触有机电化学晶体管、其制备方法以及方向选择电路，利用电解质型栅介质通电构成双电层结构的原理，降低工作电压，该有机电化学晶体管的结构由下往上依次为衬底、电解液型栅介质、有机材料通道、金属顶电极；并且提出一种基于STP/STD的新型神经形态电路来实现方向选择性，通过两种布线方案实现生物神经系统中的短时程增强/抑制（STP/STD）。通过采用加载不同的脉冲电压模式，进行突触仿生功能的模拟，实现类神经突触的学习和记忆功能。
📄 2022116332800
📂 H10K10_46
👤 南京邮电大学
📅 2022-12-19
本发明涉及一种通过钝化聚合物晶体管界面提高有机晶体管迁移率的方法。首先将四氯化铪（HfCl4）溶于去离子水（DI），并将其旋涂于P+掺杂的硅片上，以低温热退火的工艺形成氧化铪（HfO2）薄膜；之后将聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）溶于乙酸丁酯（NBA），旋涂在HfO2薄膜表面，以低温热退火的方式形成很薄的PMMA薄膜，来对HfO2的表面进行钝化，从而减小有机场效应晶体管（OFETs）的回滞，提高OFETs的场效应迁移率。该HfO2薄膜的溶液相工艺操作简单，可在大气环境下进行处理，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。
📄 2022101376011
📂 H10K71_00
👤 南京邮电大学
📅 2022-02-15
本发明提供一种电压检测比较器，其包括第一可调电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、偏置电流源和开关组合电路。当开关组合电路处于第一连接方式时，使第一MOS管的第二连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连，使第二MOS管的第二连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连；当开关组合电路处于第二连接方式时，使第一MOS管的第二连接端与第二双极型晶体管的第一连接端相连，使第二MOS管的第二连接端与第一双极型晶体管的第一连接端相连。与现有技术相比，本发明通过交换产生偏差的第一MOS管和第二MOS管的位置，来确定第一可调电阻的有效阻值，从而降低或消除输入偏差对翻转阈值精度的影响。
📄 2017112599506
📂 G01R19_165
👤 南京中感微电子有限公司
📅 2017-12-04
本发明提供一种电池保护系统，其包括：正电源端、负电源端、电池组、电池保护电路和充放电开关组合。所述电池保护电路包括电压检测比较器，其用于检测第三检测端的电压是否大于或小于参考阈值电压。所述电压检测比较器包括第一可调电阻Ru、第二电阻Rd、第三电阻Re、第四电阻Rs、第一MOS管M0、第二MOS管M1、第三MOS管M2、第一双极型晶体管Q0、第二双极型晶体管Q1、偏置电流源Ibias和开关组合电路。所述电压检测比较器可以通过自调降低或消除输入偏差对参考阈值电压精度的影响，从而使修调及封装后芯片的翻转阈值精度统一性良好，进而提高所述电池保护系统的准确性。
📄 2017112560686
📂 H02H7_18
👤 南京中感微电子有限公司
📅 2017-12-04
本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率，通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系，得到整流效率和输出电容之间的关系式，在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗，从而得到对应的输出阻抗设计空间；依据理论阻抗设计空间，使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理，在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移，并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化，使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率，还可以提高设计的准确度和效率。
📄 2025104778744
📂 G06F30_36
👤 杭州电子科技大学
📅 2025-04-16
本发明公开一种大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体集成电路技术领域，包括NMOS管A、自偏置PMOS管B、NMOS管C，NMOS管A的N+漏区与NMOS管C的N+源区通过金属互连，NMOS管A的N+源区与PMOS管B的P+漏区相连，二者通过金属短接作为本发明器件的阴极，与上述阴极金属相连的多晶硅作为PMOS管B的栅极，传统硅横向绝缘栅双极型晶体管的阳极作为本发明器件的阳极，本发明与现有技术的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管相比，在相等的导通压降情况下，具有更大的电流密度，更小的导通损耗和芯片面积，解决了现有技术中出现的问题。
📄 2019112204731
📂 H01L29_739
👤 济宁学院
📅 2019-12-03
本发明涉及一种交流侧分裂对称解耦单相逆变器。该交流侧分裂对称解耦单相逆变器包括H桥逆变器，上半桥结构包括并联的上半桥第一单元和上半桥第二单元，上半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G1、二极管D1和电容C3，上半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G3、二极管D3和电容C4；下半桥结构包括并联的下半桥第一单元和下半桥第二单元，下半桥第一单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G2、二极管D2和电容C1，下半桥第二单元包括并联的绝缘栅双极型晶体管G4、二极管D4和电容C2，上半桥第一单元和下半桥第一单元之间设有电感L1，上半桥第二单元和下半桥第二单元之间设有电感L2。本发明能够降低成本和损耗增加，达到完全解耦的效果。
📄 2020112439829
📂 H02M7_5387
👤 贺陈栋, 魏月
📅 2020-11-10
本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。
📄 2024114283211
📂 H10D62_40
👤 南京信息工程大学
📅 2024-10-14
本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构，可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED，不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题，还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外，在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。
📄 2024114291928
📂 H10H20_821
👤 南京信息工程大学
📅 2024-10-14
柿子坊 · 知识产权运营
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