发明专利 已授权

一种含驱动的Micro-LED结构及其制备方法

📄 申请号:CN202411429192.8 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2024-10-14
公开号
CN119545997B
公开日
2025-12-12
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

显示设备, 消费电子, 可穿戴设备, 虚拟现实与增强现实, 车载显示

摘要

本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法,其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛,此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构,在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构,可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED,不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题,还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外,在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED,可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高发光效率;以密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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