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本发明公开了一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，以正方体为衬底层，光栅层为一圆环与圆柱组成的设计图样，圆环内套有圆柱，两层结构紧密贴合，衬底层为重掺杂的N型硅，衬底层的厚度为300μm，周期为200μm，掺杂浓度为2.91×1018cm-3。本发明还公开了其制备方法，首先，清洗抛光硅片衬底，吹干，在硅片表面上旋涂一层光刻胶层，并进行烘烤，将掩膜版置于光刻胶上；对光刻胶进行曝光，显影后得到周期性的结构图案，最后，通过反应离子刻蚀裸露的硅表面，利用有机溶剂去除剩余光刻胶，即可。该全介质双带高效太赫兹吸收器结构简单，不需多层材料堆叠，易集成的，且具有吸收效率高，光可调，灵敏度高的特点。

本发明公开了基于金属纳米柱结构的高分辨率显示器制作方法，所述方法包括步骤：在平整光滑的玻璃表面旋涂光刻胶，采用电子束曝光法制作周期有序的圆环结构；对圆环结构进行反应离子刻蚀，得到环形腔结构,并在环形腔结构内加入NOA之后揭下，得到周期圆柱；在周期圆柱上涂压印胶，待纳米压印胶固化后撕下得到压印胶上的周期环形腔结构；对周期环形腔结构进行加热，加热后会改变环形腔结构上边缘的弧度以及圆柱的弧度，通过加热不同的时间使边缘产生不同的形变，再在周期环形腔结构镀铝膜；激发周期环形腔结构表面等离激元，从而在不同程度形变处显示出不同颜色。本发明基于金属环形腔结构的高分辨率显示器提高了像素分辨率，解决了颜色染料的污染问题，染色像素的大小问题。

本发明提供一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法，所述制备方法包括：硅片表面预处理步骤，将硅片进行表面腐蚀预处理，得到处理后的硅片；晶种生长步骤，将晶种溶液加入生长溶液中，对混合液进行搅拌，再静置，得到金纳米颗粒溶液；制备金纳米颗粒掩模，将金纳米颗粒溶液旋涂至处理后的硅片表面，干燥后，金纳米颗粒经自组装平铺在处理后的硅片表面，得到具有金纳米颗粒掩模的硅片；反应离子刻蚀，将具有金纳米颗粒掩模的硅片放置在刻蚀气体气氛中进行反应离子刻蚀，再经超声水洗，得到具有锯齿状结构的高效绒光面。所述制备方法操作简单的，成本较低，适合大规模生产；制备得到的陷光绒面性能较好。

一种相变‑热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法：在基片(1)上沉积一层相变薄膜(2)，在相变薄膜(2)上沉积一层热分解型薄膜(3)，得到相变‑热分解型复合光刻胶；利用激光直写光刻系统(4)对相变‑热分解型复合光刻胶进行曝光，相变薄膜受激光照射产生相变形成相变区，并释放相变潜热，相变潜热加热相变区(5)上方的热分解型薄膜并使其分解，从而在热分解型薄膜上直接形成纳米通孔(6)；利用反应离子刻蚀系统(7)刻蚀相变‑热分解型复合光刻胶，使纳米通孔(6)下方的相变薄膜被刻蚀，最终得到纳米结构。本发明提供了一种操作简单、成本低廉、加工速度快，光刻分辨率高的纳米光刻方法。

本发明涉及一种实现正负性转换的NSb2Te光刻胶制备及其光刻方法，光刻胶制备方法以Sb2Te为靶材、以Ar为起辉气体、N2为掺杂气体，在基片上沉积得到NSb2Te光刻胶，控制Ar和N2的流量比，使NSb2Te光刻胶为正胶或负胶；光刻方法包括：S1：在基片上沉积一层NSb2Te光刻胶，控制NSb2Te光刻胶中氮元素的掺杂量，使NSb2Te光刻胶为正胶或者负胶；S2：利用激光直写光刻系统对所述NSb2Te光刻胶进行曝光；S3：利用反应离子刻蚀系统或酸/碱性显影剂对曝光后的所述NSb2Te光刻胶进行干法或湿法显影，得到具有微纳结构的光刻样品。本发明提供一种工艺简单、成本低廉、环境友好且能在同一显影剂中实现正负胶转换的光刻胶制备方法和光刻方法。