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一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器及制作方法

Name: 一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器及制作方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2019102682775
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910268277.5 📄 发布日：2026/09/28

著录项目信息

申请日

2019-04-02

公开号

CN110398793A

公开日

2019-11-01

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B5_00

IPC 分类号

G02B5_00 , G01N21_3581 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

太赫兹通信, 太赫兹成像, 光谱检测, 光学传感, 电磁干扰抑制

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摘要

本发明公开了一种基于全介质的光可调双带太赫兹吸收器，以正方体为衬底层，光栅层为一圆环与圆柱组成的设计图样，圆环内套有圆柱，两层结构紧密贴合，衬底层为重掺杂的N型硅，衬底层的厚度为300μm，周期为200μm，掺杂浓度为2.91×1018cm-3。本发明还公开了其制备方法，首先，清洗抛光硅片衬底，吹干，在硅片表面上旋涂一层光刻胶层，并进行烘烤，将掩膜版置于光刻胶上；对光刻胶进行曝光，显影后得到周期性的结构图案，最后，通过反应离子刻蚀裸露的硅表面，利用有机溶剂去除剩余光刻胶，即可。该全介质双带高效太赫兹吸收器结构简单，不需多层材料堆叠，易集成的，且具有吸收效率高，光可调，灵敏度高的特点。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种频率可调太赫兹多带吸收器

当前第 / 件

一种基于复合型全介质的光可调高Q值太赫兹吸收器

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