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摘 要:一种相变‑热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法:在基片(1)上沉积一层相变薄膜(2),在相变薄膜(2)上沉积一层热分解型薄膜(3),得到相变‑热分解型复合光刻胶;利用激光直写光刻系统(4)对相变‑热分解型复合光刻胶进行曝光,相变薄膜受激光照射产生相变形成相变区,并释放相变潜热,相变潜热加热相变区(5)上方的热分解型薄膜并使其分解,从而在热分解型薄膜上直接形成纳米通孔(6);利用反应离子刻蚀系统(7)刻蚀相变‑热分解型复合光刻胶,使纳米通孔(6)下方的相变薄膜被刻蚀,最终得到纳米结构。本发明提供了一种操作简单、成本低廉、加工速度快,光刻分辨率高的纳米光刻方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010305390.9 | 专利名称: | 一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法 |
申请日: | 2020-04-17 | 申请/专利权人 | 苏州科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市高新区科锐路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G03F7/09搜分类 胶 热分解 光刻 光刻胶 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2022-08-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111367146B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |