发明专利 已授权

一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法

📄 申请号:CN202010305390.9 📄 发布日:2026/03/30

著录项目信息

申请日
2020-04-17
公开号
CN111367146B
公开日
2022-08-26
申请人
苏州科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

集成电路制造, 芯片制造, 微纳器件加工, 半导体器件, 光学器件

摘要

一种相变‑热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法:在基片(1)上沉积一层相变薄膜(2),在相变薄膜(2)上沉积一层热分解型薄膜(3),得到相变‑热分解型复合光刻胶;利用激光直写光刻系统(4)对相变‑热分解型复合光刻胶进行曝光,相变薄膜受激光照射产生相变形成相变区,并释放相变潜热,相变潜热加热相变区(5)上方的热分解型薄膜并使其分解,从而在热分解型薄膜上直接形成纳米通孔(6);利用反应离子刻蚀系统(7)刻蚀相变‑热分解型复合光刻胶,使纳米通孔(6)下方的相变薄膜被刻蚀,最终得到纳米结构。本发明提供了一种操作简单、成本低廉、加工速度快,光刻分辨率高的纳米光刻方法。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (G03F7_09)

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:82 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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