本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种水分散性二硫化钼的制备方法。所述的水分散性二硫化钼以二硫化钼和硫酸软骨素为原料，以甲酰胺为溶剂，加热反应制得。本发明通过硫酸软骨素对二硫化钼的表面物理吸附进行改性，使所合成的材料更具有亲水性，在水中达到更好的分散性，从而使二硫化钼在医药方面得到更好的运用。本发明的制备方法简单，原料简单易得，方便推广使用。
📄 2021112321658
📂 C01G39_06
👤 山东第一医科大学第二附属医院
📅 2021-10-22
本发明公开了一种黑磷/二硫化钼纳米花复合材料的制备方法及其食源性致病菌检测应用，特点是包括以下步骤：(1)采用分级离心辅助液相剥离法制备黑磷纳米片；(2)采用水热法制备黑磷/二硫化钼纳米花复合材料：依次将10毫升步骤(1)制备得到的黑磷纳米片水溶液、5毫升的钼酸铵水溶液和5毫升的硫脲水溶液转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压灭菌器中，超声后让混合物在200℃下反应24小时，然后分别用乙醇和去离子水洗涤数次即得到黑磷/二硫化钼纳米花复合材料，可用于检测食源性致病菌与制备抗菌剂，优点是提高食源性致病菌检测灵敏度并且具有光热与光催化协同抗菌功能。
📄 2023115102115
📂 G01N21_65
👤 宁波大学
📅 2023-11-14
本发明公开了一种二硫化钼纳米片包覆钛基MOF衍生二氧化钛复合材料的制备方法，涉及电池材料技术领域。包括以下步骤：提供钛基MOF材料，将钛基MOF材料在惰性气体或氮气的保护下煅烧，获得钛基MOF衍生的二氧化钛；以钛基MOF衍生的二氧化钛和碳源为原料，以水为溶剂，通过水热反应，获得碳包覆二氧化钛复合物；将钼源和硫源均匀分散于水溶剂中，再加入碳包覆二氧化钛复合物，混合均匀后，于200～230℃，保温20～24h，即得所述复合材料。本发明通过层状MoS2纳米片包覆以钛基MOF为前驱体制备的TiO2材料，两种材料间结合紧密，同时，在TiO2材料表面包覆均匀碳层，不仅提高材料导电性，更为MoS2的均匀包覆提供大量位点。
📄 2021102416384
📂 C01G39_06
👤 青岛科技大学
📅 2021-03-04
本发明提供一种多功能镍掺杂二硫化钼原位电极的CVD制备方法，将镍盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂，获得Ni-Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。本发明的技术方案得到的产品具有设备要求低、所需原料成本低廉、反应条件易于控制、生产工艺简单、所形成的产品一致性好，环境污染小等优点，可用于HER、OER和ORR的多功能电催化剂。
📄 2018101963777
📂 C25B1_04
👤 三峡大学
📅 2018-03-09
本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。
📄 2018101951356
📂 C25B11_06
👤 三峡大学
📅 2018-03-09
本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。
📄 2017113421093
📂 C01G51_00
👤 三峡大学
📅 2017-12-14
本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。
📄 2017113416714
📂 C01G39_06
👤 三峡大学
📅 2017-12-14
本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。
📄 2022101990713
📂 C25B11_061
👤 浙江工业大学
📅 2022-03-02
本发明公开了一种二硫化钼花状纳米球的制备方法及析氢应用，该方法包括以下步骤：1）将一定量的硫脲（CS(NH2)2）、二水合钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)、柠檬酸（C6H8O7）溶于去离子水和无水乙醇的混合溶剂中；2）搅拌至完全溶解后，倒入密闭的聚四氟乙烯反应釜中，反应一段时间后自然冷却得到黑色溶液；3）将溶液置入离心管离心操作；4）将离心产物置于真空干燥箱作干燥处理，得到二硫化钼；5）将样品进行析氢测试。本发明采用一步溶剂热法制备二硫化钼，原料价廉易得；过程工艺简单，条件温和；产物均匀，具有花状纳米球特殊形貌；且电化学性能优异：在N2饱和的1M KOH条件下，电流密度为10 mA/cm2时，该方法制备的二硫化钼的析氢过电势为3 mV，比玻碳电极（877 mV）降低了874 mV，且能与商用50%Pt/C（1.5 mV）媲美。
📄 2019105958289
📂 B01J27_051
👤 西南大学
📅 2019-07-03
本发明公开了一种聚多巴胺/纳米二硫化钼光催化剂的制备方法及其应用，首先通过锂离子插层法制备二硫化钼纳米片，然后加入巯基乙胺修饰得到氨基化二硫化钼，接着在反应体系中引入多巴胺单体与其混合均匀，最后通过多巴胺在氨基化二硫化钼表面自缩聚合成出聚多巴胺/纳米二硫化钼复合物。本发明所制得的复合催化剂由于引入了聚多巴胺，大幅度提高了复合催化剂的光催化性能。
📄 2018105695664
📂 B01J31_34
👤 安徽大学
📅 2018-06-05
本发明公开了一种共轭聚乙烯醇修饰纳米二硫化钼的制备方法，首先将巯基乙醇加入二硫化钼溶液中超声分散均匀，冷冻干燥后得到羟基化二硫化钼；然后将聚乙烯醇溶液与羟基化二硫化钼混合，分散均匀获得复合溶液；将所得混合溶液烘干除去水分，热处理后即可得到共轭聚乙烯醇/羟基化二硫化钼复合物。本发明所制得的复合催化剂由于引入了共轭聚乙烯醇，大幅度提高了复合催化剂的光催化性能。
📄 2018102623293
📂 B01J31_06
👤 安徽大学
📅 2018-03-28
本发明公开了一种二硫化钼/金纳米颗粒混合结构的生物传感器材料及其制备方法，包括玻璃纤维纸衬底、附着在玻璃纤维纸衬底上的二维二硫化钼以及附着在二维二硫化钼上的金纳米颗粒。二硫化钼生长温度精确控制；生长的二硫化钼缺陷峰低，具有极高的晶体质量；生长的二硫化钼尺寸只受CVD腔体的限制，可实现二硫化钼的大面积生长；生长的金属颗粒后的二硫化钼/金属颗粒混合结构具有极高的化学吸附和物理增强机制；利用刻蚀法生长金颗粒，可以通过控制刻蚀的时间来精确控制金颗粒的大小，而且能够在整个材料上均匀生长金颗粒，有利于检测生物分子。制备完成后的生物传感器可同时实现生物分子的分离和检测。方法简单可控，成本低廉，应用价值高。
📄 2016109286130
📂 G01N21_65
👤 山东师范大学
📅 2016-10-31
柿子坊 · 知识产权运营
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