发明专利已授权

一种稳定的1T相二硫化钼电极的制备方法

📄 申请号：CN202210199071.3 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2022-03-02

公开号

CN114622235B

公开日

2024-02-02

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B11_061

IPC 分类号

C25B11_061 , C25B11_091 , C25B1_04 ,

技术画像

所属领域

过渡金属硫化物过渡金属硫化物电极材料电催化材料

应用场景

储能系统, 动力电池, 电催化析氢, 电解水制氢, 超级电容器

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摘要

本发明公开了一种稳定的高纯1T相二硫化钼电极的制备方法。该制备方法包括如下步骤：一、将硫源和表面附着有氧化钼或氧化钼前驱体的电极基体分别置于等离子体气相沉积设备内的不同位置。二、通过等离子体气相沉积设备将氧化钼还原为MoO3‑X。硫源被气化为硫蒸气，与MoO3‑X反应生成硫化钼；同时，向等离子体气相沉积设备中通入气相的碳源，使得碳元素掺杂到硫化钼中，得到二硫化钼电极。本发明通过PCVD的方式在电极基体上原位生成硫化钼层并掺杂碳元素，快捷地获得了表面以1T相二硫化钼为主的电极，制备过程中不需要分别控制碳源、硫源、三氧化钼源材料的温度，简化了制备工艺。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：22 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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