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本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD‑G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。

本发明公开了一种单晶SiC的离子注入表面改性与纳米尺度抛光方法，具体按照以下步骤进行：步骤1，对研磨后要进行抛光的晶片表面进行粗糙度测量，根据研磨后晶片表面粗糙度度决定离子注入深度；步骤2，确定操作所选用的离子注入机以后，选用Al离子进行注入，根据步骤1测量的晶片表面粗糙度和离子注入深度和离子注入能量值的比例关系，选择晶片表面粗糙度对应的离子注入能量值进行注入分次注入，使离子在注入深度上纵向都有较为均匀的分布；步骤3，将离子注入完成的晶片置于抛光机中，去除晶片离子注入的表面层，即成。本发明能主动改变脆性材料表面层的物理机械性能，降低材料的硬度和脆性，从而采用非常小的机械作用力去除。

本发明公开了离子注入跑片装置及离子注入跑片方法。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区、垂直输送缓冲区、单个水平传送区及垂直输送储存区。离子注入跑片方法包括如下步骤：将硅片置于拖盘上隔板的下方，其中一排离子注入孔正对硅片的第一位置；将托盘运送至一真空腔中，在真空腔中运送托盘至第一离子处；将第一离子通过隔板的第一排离子注入孔注入至硅片的第一位置；隔板相对所述托盘移动位置，以使第二排离子注入孔正对硅片的第二位置；将第二离子通过隔板的第二排离子注入孔注入至硅片的第二位置；将托盘移出所述真空腔。本发明所述离子注入跑片装置，离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。

本发明提供了一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括：衬底、成核层、非掺杂GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层，以及在AlGaN势垒层上分别引出的源极、栅极和漏极；与此同时，在栅极下方的GaN沟道层中设置一个正离子注入区。一方面，当栅极下方的GaN沟道层注入正离子之后，相当于在能带上增加了势垒高度，拉升了势阱，从而实现了沟道内二维电子气(2DEG)的耗尽，成为增强型器件；另一方面，正离子注入可以有效降低AlGaN势垒层的表面损伤和缺陷，减少表面态和缺陷，有效抑制电流崩塌，从而提高器件的输出电流，最终改善器件的输出功率和可靠性。

本发明公开了一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，主要是利用低能离子注入介导技术高效、定向地将Ri质粒导入黄芩外植体中，促使Ri质粒与黄芩基因组发生重组整合，实现诱导黄芩毛状根的目的，所得的黄芩毛状根形态上多丛生，分枝多，无向地性，能够不依赖激素快速生长，能稳定生物合成黄芩苷，诱导率可达20～55％，黄芩苷含量可达16.47～19.56％。本发明提供的方法不仅操作简便，适用范围更广泛，将为单子叶植物及裸子植物的毛状根体系建立奠定基础。

本发明属于半导体加工技术领域，具体的说是一种晶圆离子注入方法，本方法采用的刻蚀装置，包括移动模块、抓取模块、一号反应槽、二号反应槽、三号反应槽和储料筒，反应仓内壁底表面固定安装有一号反应槽、二号反应槽和三号反应槽；移动模块固定安装在反应仓内壁的侧表面顶部；抓取模块安装在移动模块上，储料筒用于存放晶圆；抓取模块用于对储料筒进行抓取；储料筒从进料门输送至反应仓中；移动模块通过与抓取模块配合将储料筒中的晶圆，依次放入三号反应槽、二号反应槽和一号反应槽中刻蚀；本发明主要用于对晶圆进行刻蚀,能够提高刻蚀液的使用效率，能够对晶圆进行批量化刻蚀，提高了刻蚀效率。