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摘 要:本发明公开了一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法,属于半导体技术领域。所述方法刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属,而是使用碳层作为刻蚀掩模,采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀,刻蚀完成后对上表面做平坦化处理,再将上层金属淀积,用作MTJ器件的上部电极;避免了上层已刻蚀部分在后续刻蚀中产生颗粒再淀积到MgO侧壁,影响器件性能,使得刻蚀过程中对于磁材料的损伤降低至传统方法的一半以下,同时刻蚀过程中采用醇类和H2O的混合气体作为刻蚀气体,进一步有效的避免了刻蚀的后腐蚀问题和刻蚀损伤问题,不再需要进行尾气处理,减少了工艺步骤。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910376586.4 | 专利名称: | 一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法 |
申请日: | 2019-05-07 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L43/12搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2019-07-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110071214A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |