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摘 要:本发明提供复合多层磁性纳米环阵列存储器件及其制备方法和应用,包括绝缘材料的衬底以及附着于衬底上的双层矩形纳米环阵列,双层矩形纳米环阵列包括具有垂直各向异性的多层磁性材料作为下层材料和具有面内各向异性的软磁材料作为上层材料;上层矩形纳米环阵列结构和下层矩形纳米环阵列结构为同心等大矩形纳米环阵列;矩形纳米环外框长宽比2:1,长边长为l,环宽为w,矩形纳米环之间的间距为s,底层的厚度为d1,上层的厚度为d2,l∈(200nm,2um),w∈(35nm,360nm),d1∈(5nm,15nm),d2∈(20nm,40nm),w:l∈(0.1,1)。本发明除了可以大大降低反转场,且反转场可选择范围大大增加,还能获得更多可调制的磁畴状态,为磁记录写入的编译码提供了更多的选择。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910874078.9 | 专利名称: | 复合多层磁性纳米环阵列存储器件及其制备方法和应用 |
申请日: | 2019-09-17 | 申请/专利权人 | 云南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 云南省昆明市呈贡区云南大学物理楼3605 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L43/08搜分类 存储器件 阵列 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2021-01-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110581214B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/01/12 | 授权 | |
2020/01/10 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 43/08 专利申请号: 201910874078.9 申请日: 2019.09.17 |
2019/12/17 | 公开 |