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摘 要:本发明公开了一种具有较高工作频率的MRAM,属于计算机存储技术领域。所述磁性随机存取存储器基于2T1MTJ单元结构,在其基础上增加读位线以及辅助电路,用于分离读/写位线以及辅助电流传送,将读取电压快速偏置到选定的位线。本发明通过在2T1MTJ单元结构的基础上增加读位线以及辅助电路,用于分离读/写位线以及辅助电流传送,将读取电压快速偏置到选定的位线,从而提高响应速度,半轴旋转架构有效地减小了位线电容,提高了MRAM的读写速度,进一步在以2T1MTJ单元组成的阵列为基础的MRAM基本架构中添加电流传送器,加快电压的偏置,从而提高响应速度,提高整个MRAM的工作频率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910376306.X | 专利名称: | 一种具有较高工作频率的MRAM |
申请日: | 2019-05-07 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G11C11/16搜分类 RAM搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110111822B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |