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摘 要:本发明公开了一种具有室温铁磁性和高紫外光透过的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3薄膜及其制备方法,该薄膜表现为室温铁磁性,在深紫外区具有高的透过率,可以透过高能量的光子。该薄膜可以用于研究高能量光子与电子自旋的相互作用。该薄膜具体制备方法是以c面蓝宝石为衬底,通过激光分子束外延技术多次循环沉积Ga2O3薄层和过渡金属Fe薄层,利用高温层间相互扩散的方式实现过渡金属元素掺杂的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3多层薄膜。本发明提供的这种制备Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3多层薄膜的方法,能够通过调节沉积Fe层的激光脉冲次数实现不同Fe掺杂的(Ga1‑xFex)2O3薄膜,整个过程都在同一个腔体内进行保证了样品的纯度,采用的设备简单常见,非常利于推广。本发明制备的Ga2O3/(Ga1‑xFex)2O3薄膜是一种非常有前景的稀磁半导体材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610227749.9 | 专利名称: | 一种具有室温铁磁性和高紫外光透过的Ga2O3/(Ga1-xFex)2O3薄膜及其制备方法 |
申请日: | 2016-04-13 | 申请/专利权人 | 浙江理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L43/10搜分类 塑料 铁磁 F搜索 |
公开/公告日: | 2018-09-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105845824B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |