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摘 要:本发明涉及表面处理技术领域,具体为一种基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用。本发明提供的抛光液的制备方法,首先采用Ce3+为原料,同时加入聚乙烯吡咯烷酮制备得到形貌,再以乙醇为溶剂,采用溶剂热法制备出类球形形貌、大小可控、粒度分布均匀的氧化铈磨粒,克服了氧化铈不均匀团聚的技术难题,成功制得了立方萤石结构的CeO2,微观形貌呈类球形、粒径100~200nm、粒径分布均匀;然后基于本发明的特定类球形氧化铈磨粒,通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择(SDBS或PEG‑2000),结合0.05mol/L的KMnO4,控制抛光液PH值为2时制得的抛光液,最终实现了抛后SiC晶片的材料去除率不低于600nm/h,同时晶片表面粗糙度不高于0.23nm,取得了预料不到的技术效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211030992.3 | 专利名称: | 基于类球形氧化铈磨粒的抛光液及其制备方法、应用 |
申请日: | 2022-08-26 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09G1/02搜分类 球搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115368826B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |