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摘 要:本发明涉及表面处理技术领域,具体为一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用。本发明以Ce3+、聚乙烯吡咯烷酮为原料,采用溶剂热法在较低温度及溶剂的自身压强下,控制六水合硝酸铈与聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为2:1,无水乙醇与去离子水的体积比为3:1,Ce3+浓度为0.1mol/L,成功制备出八面体形貌、粒径大小约为150nm、粒度分布均匀的八面体氧化铈磨粒。基于本发明的特定八面体氧化铈磨粒,通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或十二烷基苯磺酸钠(SDBS),结合0.05mol/L的KMnO4,控制抛光液PH值为2时制得的抛光液,最终实现了抛后SiC晶片的不低于800nm/h,同时晶片表面粗糙度不高于0.28nm的技术效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211037067.3 | 专利名称: | 一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用 |
申请日: | 2022-08-26 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C09G1/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2023-08-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115160935B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |