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摘 要:本发明涉及一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法,利用激光干涉烧蚀和金属薄膜退火两步处理法,首先利用激光干涉在硅片上烧蚀出周期性跨尺度的微/纳米结构图案,并在硅衬底上溅射沉积特定厚度的双层金属膜,退火过程中利用在图案化硅衬底表面的金属膜反润湿特性,实现金属纳米粒子模版化的自组装,得到与激光干涉图案一致的有序双金属纳米粒子阵列。本发明可获得大面积图案化有序的双金属纳米粒子阵列,制备方法简单无需图案转移及化学合成,具有粒子尺寸和成份可控,图案可控,重复性好,稳定性高等优点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810851530.5 | 专利名称: | 一种采用退火方法制备图案化有序双金属纳米粒子阵列的方法 |
申请日: | 2018-07-30 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/203搜分类 退火 采 阵列 金属纳米粒子搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109119332B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |