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摘 要:上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。本发明其特征在于,中空的柱体包括两部分,一部分是内含齐顶高阻区的圆环柱体,该圆环柱体的轴线与圆柱形齐顶高阻区的轴线重合,另一部分是自所述圆环柱体侧面任意处拓展出去的螺旋线柱体,该螺旋线柱体的螺旋线极坐标方程为其中初始极半径ρ0在115μm~200μm范围内确定,形变因子ε在0.5~3.0范围内确定,极角在 范围内确定;上电极位于所述螺旋线柱体的上表面上;中置电极位于下分布布拉格反射镜的内镜面上,且位于所述中空的柱体之外,中置电极的形状与上电极的形状相同;上电极与中置电极以上电极的几何中心与中置电极的几何中心的连线与所述圆环柱体轴线的交点O'为对称中心呈点对称分布。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010189149.4 | 专利名称: | 上电极中置电极对角分布垂直腔面发射半导体激光器 |
申请日: | 2020-03-18 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/042搜分类 电子元器件 布 纺织面料 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2020-07-03 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111370994A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |