一种量子阱结构及其生长方法

摘     要：本申请属于半导体材料技术领域，特别是涉及一种量子阱结构及其生长方法。为了获得高质量的InGaAs量子阱，一般采用GaAsP应变补偿垒层的方法，但会带来超出预期的发光峰。并且就算保持了总应变为零，仍会造成InGaAs/GaAsP界面粗糙化，引发局部微观缺陷，这同样会弱化量子阱的性能。如果直接采用GaAs做势垒层，生长温度的选择成了挑战。本申请提供了一种量子阱结构，包括依次层叠的衬底、缓冲层、下势垒层、势阱层和上势垒层；所述上势垒层包括低温势垒层和高温势垒层，所述势阱层、所述低温势垒层与所述高温势垒层依次层叠。优化低温、高温势垒层的厚度分配和生长温度，提高量子阱材料的生长质量。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注