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摘 要:上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有器件的电流注入均匀性较差,器件串联电阻较大。本发明其特征在于,旋错上电极位于欧姆接触层上表面,旋错下电极位于衬底下表面,旋错上电极、旋错下电极的主体部分都呈圆环形,所述圆环形的几何中心与激光器轴线上一点重合;沿圆环形主体部分的外圆或者内圆等弧度间隔分布形状、数量均相同的扩展部分,旋错上电极、旋错下电极之间在所述圆环形的圆周方向上旋错二分之一所述弧度布置。本发明能够通过提高器件的电流注入均匀性和减小器件串联电阻,提高发射的涡旋空心光的光强均匀性,减少器件发热,提高发光效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011369851.5 | 专利名称: | 上下电极旋错布置的垂直腔面发射半导体激光器 |
申请日: | 2020-11-30 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/183搜分类 电子元器件 布 纺织面料 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2022-07-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN112490851B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |