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摘 要:本发明涉及光电探测领域,具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法,探测器包括衬底,复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质结,沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极。制备方法为:在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜,得到复合体A;在复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒,得到复合体B;对复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极,得到偏振光电探测器。本发明在衬底表面分别设置少层的二硫化钼薄膜和硒化镉薄膜,在CdSe/MoS2异质结的区域设置了电极,通过上述处理,能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310600896.6 | 专利名称: | 一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法 |
申请日: | 2023-05-25 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/109搜分类 探测 SE C CD MoS2 光电探测 CdSe搜索 |
公开/公告日: | 2023-06-27 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116344662A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |