专利名称：一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用      申请号：2021107759145     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C CD 纳米 CdSe   相似专利 发布日：2024/03/11  
摘要： 本发明公开了一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用，包括：将CdCl2·2.5H2O和AgNO3的混合粉末与辛胺和油胺的第一混合溶剂混合，加热反应，冷却到室温，得到反应溶液；在室温下，将Se粉与辛胺和油胺的第二混合溶剂混合，得到Se前驱体溶液；将Se前驱体溶液加入反应溶液中，加热反应，冷却，得到的沉淀物用三氯甲烷溶液清洗多次，将沉淀物与十六烷基三甲基溴化铵溶液混合均匀后超声，乙醇洗涤，干燥，得到铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料。本发明的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料在提高光吸收能力的同时又满足U(VI)的光催化还原，更有利于光生载流子的的产生和使用。

专利名称：一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法      申请号：2023106008966     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 SE C CD MoS2 光电探测 CdSe   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及光电探测领域，具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底，复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质结，沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极。制备方法为：在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜，得到复合体A；在复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒，得到复合体B；对复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极，得到偏振光电探测器。本发明在衬底表面分别设置少层的二硫化钼薄膜和硒化镉薄膜，在CdSe/MoS2异质结的区域设置了电极，通过上述处理，能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。

专利名称：一种AgNPs@PDACdSe量子点纳米组装体的制备和应用      申请号：2017105997640     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C AgNPs CD 纳米 CdSe   相似专利 发布日：2023/11/27  
摘要： 本发明利用分步法合成银纳米粒子@聚多巴胺(AgNPs@PDA)核壳型纳米微球，其制备的AgNPs@PDA核壳纳米微球中AgNPs粒径可控，形貌均一，且核壳结构完整；再利用苯硼酸和邻二酚羟基形成可逆的硼酸酯共价键原理实现CdSe量子点在AgNPs@PDA核壳纳米微球表面组装，制备得到荧光显著增强和可控的纳米组装体，进一步以其为荧光探针对铜离子具有优异的检测效果。