专利名称：一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用      申请号：2021107759145     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C CD 纳米 CdSe   相似专利 发布日：2024/03/11  
摘要： 本发明公开了一种铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料的制备及应用，包括：将CdCl2·2.5H2O和AgNO3的混合粉末与辛胺和油胺的第一混合溶剂混合，加热反应，冷却到室温，得到反应溶液；在室温下，将Se粉与辛胺和油胺的第二混合溶剂混合，得到Se前驱体溶液；将Se前驱体溶液加入反应溶液中，加热反应，冷却，得到的沉淀物用三氯甲烷溶液清洗多次，将沉淀物与十六烷基三甲基溴化铵溶液混合均匀后超声，乙醇洗涤，干燥，得到铀还原分离的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料。本发明的Ag掺杂CdSe纳米片光催化材料在提高光吸收能力的同时又满足U(VI)的光催化还原，更有利于光生载流子的的产生和使用。

专利名称：一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法      申请号：2023106008966     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 SE C CD MoS2 光电探测 CdSe   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及光电探测领域，具体为一种基于CdSe/MoS2异质结偏振光电探测器及其制备方法，探测器包括衬底，复合于衬底表面的CdSe/MoS2异质结，沉积于CdSe/MoS2异质结的两端的电极。制备方法为：在衬底表面设置少层的二硫化钼薄膜，得到复合体A；在复合体A中少层二硫化钼薄膜表面设置硒化镉纳米棒，得到复合体B；对复合体B上CdSe/MoS2异质结的两端分别沉积电极，得到偏振光电探测器。本发明在衬底表面分别设置少层的二硫化钼薄膜和硒化镉薄膜，在CdSe/MoS2异质结的区域设置了电极，通过上述处理，能够有效的提高探测器对偏振光的响应能力。

专利名称：多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法与应用      申请号：2019103724722     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C CD CdSe   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明提供一种多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法，所述多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3以CdSe为核，通过层层离子吸附的方式由内而外得到CdS壳层和In2S3壳层。与现有技术相比，本发明提供的CdSe/CdS/In2S3 QDs的制备方法中的所用原料易于购买且价格较低，同时制备方法简单，易于操作，便于大规模投入生产。另外，将本发明制备得到的CdSe/CdS/In2S3 QDs作为光催化制氢材料，其制氢效果相较于CdSe QDs和CdS QDs有了较为明显的提高，在7h内的光催化制氢量可以达到928.87μmol，并且该材料在光催化制氢过程中能够保持良好的循环稳定性。

专利名称：一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法      申请号：2019111358126     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C CD Zn CdSe   相似专利 发布日：2024/06/21  
摘要： 本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，包括以下步骤，(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。

专利名称：基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法      申请号：2018106016675     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C CD 高效 CdTe CdSe   相似专利 发布日：2023/01/04  
摘要： 基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。

专利名称：一种AgNPs@PDACdSe量子点纳米组装体的制备和应用      申请号：2017105997640     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE C AgNPs CD 纳米 CdSe   相似专利 发布日：2023/11/27  
摘要： 本发明利用分步法合成银纳米粒子@聚多巴胺(AgNPs@PDA)核壳型纳米微球，其制备的AgNPs@PDA核壳纳米微球中AgNPs粒径可控，形貌均一，且核壳结构完整；再利用苯硼酸和邻二酚羟基形成可逆的硼酸酯共价键原理实现CdSe量子点在AgNPs@PDA核壳纳米微球表面组装，制备得到荧光显著增强和可控的纳米组装体，进一步以其为荧光探针对铜离子具有优异的检测效果。

专利名称：一种利用荧光纳米CdSe量子点探针检测联苯菊醒农药的方法      申请号：2013105790346     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：农药 纳米材料 SE C CD 检测 CdSe   相似专利 发布日：2023/06/21  
摘要： 本发明公开了一种利用荧光纳米CdSe量子点探针检测联苯菊酯农药的方法，基于联苯菊酯能有效猝灭荧光纳米CdSe量子点探针的荧光，因此可以利用荧光猝灭现象快速灵敏检测溶液中的联苯菊酯农药，对联苯菊酯农药的检测限可达到5.1×10–8mol/L，相关系数为0.9999。本发明方法不仅操作简单方便，而且灵敏度高、选择性好，可实现混合样品中联苯菊酯的高灵敏和高选择性的检测。