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摘 要:本申请实施例涉及光电子技术领域,特别涉及一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法,包括以下步骤:将S源置于双温管式炉的低温区,将Mo源置于双温管式炉的高温区;其中,Mo源包括MoO3粉末以及生长在衬底上的MoO3薄膜;S源与Mo源在高温环境下一步外延生长MoS2/MoO3异质结;将MoS2/MoO3异质结转移至金叉指电极上,制备光电探测器。本申请提供的基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法,一步法生长的MoS2/MoO3异质结表现出较强的界面耦合质量,高界面耦合质量能够促进层间电荷转移,进一步提高异质结光电探测器的光响应。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310465138.8 | 专利名称: | 一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法 |
申请日: | 2023-04-27 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7089 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 探测 MoS2 光电探测搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116190497A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |