专利名称：一种基于表面等离激元共振的光电探测器      申请号：2019218537705     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 光电探测   相似专利 发布日：2024/07/26  
摘要： 本实用新型公开了一种基于表面等离激元共振的光电探测器，涉及热电子光电探测器技术领域，特别涉及一种基于表面等离激元共振的光电探测器。解决了现阶段光电探测器受到半导体禁带宽度的影响，不能扩大光谱工作范围的问题。包括栅极，所述栅极上方向上依次设有绝缘体介质层和半导体层，半导体层在水平方向上分布有若干个，所述绝缘体介质层上侧连接有分别位于半导体层两侧的源极和漏极；各半导体层上侧还设有源极电极，相邻源极电极之间设有漏极电极，源极电极与漏极电极形成亚波长光栅结构，各源极电极皆连接于源极，各漏极电极皆连接于漏极。达到了光谱工作范围由金属/半导体之间的肖特基势垒决定，可扩大光谱工作范围的效果。

专利名称：一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法      申请号：2016108371102     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 Zn 光电探测   相似专利 发布日：2024/01/09  
摘要： 本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

专利名称：一种阵列式长焦透镜超广角光电探测靶装置     申请号：2021101878761     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 阵列 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：光电探测靶的自动化标定系统和方法     申请号：2021106958349     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：自动化技术 探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：运动目标的差分式光电探测方法及其装置      申请号：2017112381421     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提出了一种运动目标的差分式光电探测方法及其装置，该方法应用光学对称的两个或者两个以上的探测视场形成差分结构，通过探测所述两个或者两个以上探测视场光通量的相对变化，计算被测运动目标达到预定空间位置的精确时刻。本发明装置通过对称的探测视场设计与差分式探测电路配合，可以有效减弱甚至消除背景光波动和环境光干扰导致的可靠性问题，从根本上解决原有设计中灵敏度与探测精度之间的矛盾问题，有利于提高探测器的信噪比，从而可以在保证高度可靠的基础上实现更高的探测灵敏度。另外，本发明的输出信号时域特征更加明确，可以显著简化信号分析的算法，有利于通过硬件方式实现高精度的快速分析与处理。

专利名称：一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法      申请号：2020106143432     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法，包括玻璃基片，玻璃基片表面上镀有ITO电极层，ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、Al电极层；阳极缓冲层的材料为C60，活性层的材料为P3HT、PC61BM及C70的混合物，P3HT、PC61BM及C70形成体异质结。在器件中添加C60作为空穴阻挡层，同时在活性层采用掺入少量C70材料作为电子陷阱，增加空穴的隧穿注入，提高外量子效率，降低光电流，提高探测器光电性能；工作电压小，在‑1V的小偏压下即可工作；本发明的双注入倍增型有机光电探测器的制备方法，操作简单，易于实现。