专利名称：一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法      申请号：2021103449169     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 光电探测   相似专利 发布日：2024/07/29  
摘要： 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

专利名称：一种基于表面等离激元共振的光电探测器      申请号：2019218537705     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 光电探测   相似专利 发布日：2024/07/26  
摘要： 本实用新型公开了一种基于表面等离激元共振的光电探测器，涉及热电子光电探测器技术领域，特别涉及一种基于表面等离激元共振的光电探测器。解决了现阶段光电探测器受到半导体禁带宽度的影响，不能扩大光谱工作范围的问题。包括栅极，所述栅极上方向上依次设有绝缘体介质层和半导体层，半导体层在水平方向上分布有若干个，所述绝缘体介质层上侧连接有分别位于半导体层两侧的源极和漏极；各半导体层上侧还设有源极电极，相邻源极电极之间设有漏极电极，源极电极与漏极电极形成亚波长光栅结构，各源极电极皆连接于源极，各漏极电极皆连接于漏极。达到了光谱工作范围由金属/半导体之间的肖特基势垒决定，可扩大光谱工作范围的效果。

专利名称：一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法      申请号：2016108371102     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 Zn 光电探测   相似专利 发布日：2024/01/09  
摘要： 本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

专利名称：基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法      申请号：2016107820458     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SE 光电探测   相似专利 发布日：2024/01/09  
摘要： 本发明公开了一种基于β‑Ga2O3/NSTO异质结可零功耗工作的日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指采用磁控溅射在NSTO单晶衬底上生长高结晶度的β‑Ga2O3薄膜作为光敏层，再在其上溅射直径为3mm的半透明Au/Ti电极作为透光电极，并采用机械力分别压印直径约为0.2mm和2mm的In电极作为上电极和下电极，制备获得的β‑Ga2O3/NSTO异质结日盲紫外光电探测器。本发明首次采用商业化的NSTO单晶衬底与β‑Ga2O3薄膜形成异质结结构用于日盲紫外光的探测，该异质结器件可工作于0V偏压下，具有零功耗工作的特点。本发明中β‑Ga2O3薄膜的生长采用商业化的磁控溅射方法，制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好等优势。该发明制备的零功耗β‑Ga2O3/NSTO异质结光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

专利名称：一种钙钛矿光电探测器及其制备方法      申请号：2017104955246     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 钙 港口 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提供了一种稳定的钙钛矿光电探测器，依次相连的基底(1)、共混活性层(2)、电极(3)，所述共混活性层(2)为钙钛矿和聚3‑己基噻吩共混使聚3‑己基噻吩包裹在钙钛矿表面而成。进一步的本发明提供了光电探测器的制备方法，包括以下步骤：基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿前驱体溶液，然后通过溶剂诱导法结晶形成钙钛矿纳米粉体分散液；配制聚3‑己基噻吩溶液；配制钙钛矿和聚3‑己基噻吩的共混溶液；使用旋涂或刮涂方式制备钙钛矿和聚3‑己基噻吩共混薄膜，热退火处理后得到高质量共混活性层；采用蒸镀法制备电极。本发明的产品具有响应时间短、空气中稳定、成本低等优点。

专利名称：一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法      申请号：2023104651388     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 MoS2 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本申请实施例涉及光电子技术领域，特别涉及一种基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：将S源置于双温管式炉的低温区，将Mo源置于双温管式炉的高温区；其中，Mo源包括MoO3粉末以及生长在衬底上的MoO3薄膜；S源与Mo源在高温环境下一步外延生长MoS2/MoO3异质结；将MoS2/MoO3异质结转移至金叉指电极上，制备光电探测器。本申请提供的基于强耦合MoS2/MoO3异质结光电探测器的制备方法，一步法生长的MoS2/MoO3异质结表现出较强的界面耦合质量，高界面耦合质量能够促进层间电荷转移，进一步提高异质结光电探测器的光响应。

专利名称：用于光电探测器表面及界面的原位实时表征方法及系统      申请号：2019107215420     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 表 港口 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明揭示了一种用于光电探测器表面及界面的原位实时表征方法及系统。所述原位实时表征方法包括：以激光光源对光电探测器进行辐照和拉曼光谱扫描，以使所述光电探测器处于工作状态，采集拉曼光谱，并对获得的拉曼光谱进行分析处理，实现原位实时监测光电探测器的界面结构及载流子注入或提取的演变过程。所述系统包括：激光光源，用以对光电探测器进行辐照；拉曼光谱采集单元，用以获得工作状态下的光电探测器内部半导体材料的表面及界面结构及组成的演变信息；检测单元；分析处理单元。本发明利用拉曼技术及拉曼显微成像技术，原位探测器件的微观界面及其缺陷、势垒分布，揭示影响器件敏感性的内在原因，从而从微观角度精细调控器件的性能。

专利名称：一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法     申请号：2020108072465     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：一种阵列式长焦透镜超广角光电探测靶装置     申请号：2021101878761     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 阵列 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：光电探测靶的自动化标定系统和方法     申请号：2021106958349     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：自动化技术 探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：运动目标的差分式光电探测方法及其装置      申请号：2017112381421     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明提出了一种运动目标的差分式光电探测方法及其装置，该方法应用光学对称的两个或者两个以上的探测视场形成差分结构，通过探测所述两个或者两个以上探测视场光通量的相对变化，计算被测运动目标达到预定空间位置的精确时刻。本发明装置通过对称的探测视场设计与差分式探测电路配合，可以有效减弱甚至消除背景光波动和环境光干扰导致的可靠性问题，从根本上解决原有设计中灵敏度与探测精度之间的矛盾问题，有利于提高探测器的信噪比，从而可以在保证高度可靠的基础上实现更高的探测灵敏度。另外，本发明的输出信号时域特征更加明确，可以显著简化信号分析的算法，有利于通过硬件方式实现高精度的快速分析与处理。

专利名称：一种低电压倍增型彩色有机光电探测器及其制备方法      申请号：2018110378522     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 低 港口 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种低电压倍增型彩色有机光电探测器，包括ITO玻璃基片，ITO玻璃基片的一个表面上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层及Al电极层。本发明还公开了一种低电压倍增型彩色有机光电探测器的制备方法，按照在玻璃基片上镀ITO电极层、在吹干后的ITO电极层上涂覆阳极缓冲层、在阳极缓冲层上涂覆活性层和在活性层上真空蒸镀Al电极层，退火，温度降至室温得到步骤。本发明的探测器工作电压低，外量子效率高，比探测率高，本发明的探测器的制备方法，工艺简单，对于设备的要求低。

专利名称：一种有机光电探测器及其制备方法      申请号：2019100712649     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种有机光电探测器及其制备方法，包括玻璃基片，玻璃基片表面上镀有ITO电极层，ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、阴极缓冲层及Al电极层；活性层的材料为P3HT、PC61BM、C60及C70的混合物。在活性层采用掺入少量C60和C70两种受体材料作为电子陷阱，在增加陷阱数目的同时减少陷阱材料的聚集，增加空穴的隧穿注入，能提高外量子效率。

专利名称：一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法      申请号：2020106143432     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法，包括玻璃基片，玻璃基片表面上镀有ITO电极层，ITO电极层由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、Al电极层；阳极缓冲层的材料为C60，活性层的材料为P3HT、PC61BM及C70的混合物，P3HT、PC61BM及C70形成体异质结。在器件中添加C60作为空穴阻挡层，同时在活性层采用掺入少量C70材料作为电子陷阱，增加空穴的隧穿注入，提高外量子效率，降低光电流，提高探测器光电性能；工作电压小，在‑1V的小偏压下即可工作；本发明的双注入倍增型有机光电探测器的制备方法，操作简单，易于实现。

专利名称：一种多通道叠层有机光电探测器      申请号：2018103575140     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 一种多通道叠层有机光电探测器，由多个结构相同的基础层通过叠加的方式组成。其中每一个基础层包括两套独立的有机工作层，连接两套独立的有机工作层并在界面处形成双电层从而产生位移电流的离子液体以及作为电极的铝(Al)和氧化铟锡(ITO)。每一个基础层有单通道或双通道两种工作模式：在单通道工作模式下，层内两套独立的有机工作层将采用相同的材料，仅对一个波长或一个波段的光信号进行检测，外电路通过并联实现光电流的放大；在双通道工作模式下，层内两套独立的有机工作层分别采用对两个不同光波长或不同光波段敏感的材料，从而实现双波长或双波段光信号的同时分立检测。通过基础层的叠加，组建多通道，实现探测器的多光谱检测。

专利名称：一种双色有机光电探测器      申请号：2018102888260     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 有机光电 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 一种双色有机光电探测器，独立的对不同光波长或不同光波段敏感的第一有机工作层、第二有机工作层、连接第一有机工作层和第二有机工作层并在界面处形成双电层从而产生位移电流的离子液体以及作为电极的铝(Al)、金(Au)和氧化铟锡(ITO)，组成第一探测单元和第二探测单元；第一探测单元包括附着在玻璃基片上作为负电极的第一铝电极Al、第一正电极的Au、作为主要工作物质的第一有机工作层和离子液体；第二探测单元包括附着在玻璃基片上作为第二正电极的ITO、作为第二负电极的Al、作为主要工作物质的第二有机工作层和离子液体；离子液体系第一探测单元与第二探测单元所共用。

专利名称：一种高性能的光电探测器及其制备方法      申请号：2021105177065     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdSxSe1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr3纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr3钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。

专利名称：一种NiO紫外光电探测器及其制备方法      申请号：2020114687700     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/07/20  
摘要： 本发明公开了一种NiO紫外光电探测器及其制备方法，所述NiO紫外光电探测器包括由下至上排列的衬底、NiO薄膜、二氧化硅薄膜和金属电极，所述二氧化硅薄膜上通过光刻腐蚀出若干个凹槽，每个凹槽内竖直插设有NiO柱，所述二氧化硅薄膜的上表面涂覆有碳纳米管形成碳纳米网格，所述NiO柱的周围和碳纳米网格的上表面涂覆AlN纳米晶，并在AlN纳米晶的表面包覆金属量子点，所述金属电极溅射在AlN纳米晶的表面。本发明制备的NiO紫外光电探测器具有尺寸可控、分布均匀性好、综合性能优良的优点；采用无掩膜光刻技术，可以大幅度节约成本，相对于传统技术节省2‑10％的成本。

专利名称：一种光电探测器      申请号：2023204175739     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：探测 光电探测   相似专利 发布日：2023/07/12  
摘要： 本实用新型属于光电探测器技术领域，尤其为一种光电探测器，包括底壳、顶壳、限位件、固线件、第一接头和第二接头，所述底壳与顶壳配合连接设置，所述底壳的一侧滑动连接有限位件。本实用新型设计的光电探测器，通过底壳、顶壳和限位件的配合设计，能够使得在对该方案的光电探测器内部主板进行检修时，能够便捷的将外壳进行拆卸，通过插接槽和插块的插接，配合限位件的连接，能够取代传统的螺栓连接方式，提高拆卸安装便捷，通过固定件的设计，能够在该方案的光电探测器在与传导线连接时，能够通过固定件对接头部位处的传导线进行固定，确保不会在使用时由于震动导致传导线震动出现断续连接不良的问题。

专利名称：改进的垂直结构光电探测器及制造方法      申请号：2018101299822     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 改 港口 光电探测   相似专利 发布日：2023/07/10  
摘要： 本发明涉及半导体光电子技术领域，特别涉及一种改进的垂直结构光电探测器的制造方法，本发明通过将光电探测器芯片的下电极焊接在基板上，光电探测器芯片的上电极通过金丝连接到放大电路；本发明使光通过侧面进入本征I层不存在重掺杂死区和金属电极挡光问题，降低了光损失，减少了复合，提高了响应度，并且PN结在半导体体内，减小了探测器表面漏电流提高了光电探测器的反向击穿电压，同时，PN结面积主要为平行平面结面积，有效的减小了光电探测器总的PN结电容面积，减小了寄生RC时间常数，从而提高了器件的响应速度。