发明专利已授权

一种低温存储器件的制备和调控方法

📄 申请号：CN202011517515.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-12-21

公开号

CN112635490B

公开日

2023-09-29

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10B51_30

IPC 分类号

H10B51_30 , H01L29_47 , H01L29_51 , H01L29_78 , H01L21_336 ,

技术画像

所属领域

半导体存储半导体存储低温电子器件存储器件制备

应用场景

量子计算, 数据中心, 高性能计算, 低温电子系统

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摘要

本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230929

✅ 授权

20210427

?? 实质审查的生效：

20210409

📄 公开

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