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本实用新型公开了一种密封存储器，包括支撑夹持装置，支撑夹持装置上夹持密封存储器，所述支撑夹持装置包括支撑底座，支撑底座上焊接用于夹持密封存储装箱本体的夹持组件，所述支撑夹持装置包括夹持组件，夹持组件包括固定板，固定板通过伸缩结构伸缩调节第一支撑板的位置，第一支撑板通过弹簧轴伸缩调节弧形夹持板上夹持件的位置。该密封存储器设置有夹持组件，四组夹持组件的设置可对密封存储装箱本体外壁辅助夹持，避免密封存储装箱本体因外部原因发生倾倒并与地面碰撞，影响密封存储装箱本体使用年限，如密封存储装箱本体发生泄露，遇明火会发生爆炸或燃烧。

本发明涉及数据纠错编码技术领域，具体涉及基于半导体存储的数据管理方法，包括：将待存储数据转换为字符序列，构建目标霍夫曼树，获取待编码字符的参考字符，根据参考字符在目标霍夫曼树中与待编码字符之间的位置关系对待编码字符进行编码，得到第一编码，对第一编码设置纠错码得到第二编码，进而得到编码结果。对编码结果进行纠错解压时，根据第二编码的特征将编码结果分为多个数据段，根据不符合第二编码的数据特征的数据段获取纠错数据段，对待纠错数据段进行纠错得到无错序列，对无错序列进行解压。本发明较于现有的数据纠错算法编码长度更短，纠错码对压缩效率的影响非常低，不影响数据的存储效率，同时纠错结果准确。

本发明公开了电子科学技术领域的一种低温存储器件，具有低温高电流开关特性且可实现外场电控，以铁电材料BaTiO3作为隧穿层，分别以铁磁金属氧化物La0.7Sr0.3MnO3、n型掺杂Nb:SrTiO3和Au作为低温存储器件的上电极、底电极和顶电极；本发明通过代替传统贵金属电极设计的铁磁金属氧化物电极/铁电层/半导体电极型铁电隧道结存储器件，在35K的低温下可以实现电流开关比(电流开关比ON/OFF，开态隧穿电流值与关态隧穿电流值之比)达到～105，此外，本发明制备工艺简易，操作简便，成本低廉，可在低温下保持较好的信息存储及转换的性能，本发明中的低温存储器件通过电场调控及温度调控克服传统铁电隧道结在低温下性能缺陷，拓宽了La0.7Sr0.3MnO3/BaTiO3/Nb:SrTiO3铁电隧道结存储器使用范围和使用性能。