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摘 要:本发明提供一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法,包括如下步骤,1)单晶硅片的清洗:对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物;2)单晶硅片脱水:将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水;3)氢化非晶硅锗的沉积:将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热,在180℃‑220℃的沉积温度和10W‑20W的等离子体激发功率下,在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后,完成对单晶硅片的钝化。本发明所述的钝化方法,在180℃‑220℃的环境中可以实现整个钝化过程,降低了热损伤。整个钝化过程中等离子激发功率10W‑20W,降低了等离子体的损伤。少子寿命高,钝化效果好。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510536607.6 | 专利名称: | 一种硅基太阳能电池及其单晶硅片钝化方法 |
申请日: | 2015-08-27 | 申请/专利权人 | 陕西师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市长安区西长安街620号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 太阳能 硅 港口 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2017-10-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105244411B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/10/20 | 授权 | |
2016/02/10 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/18 专利申请号: 201510536607.6 申请日: 2015.08.27 |
2016/01/13 | 公开 |