一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用

摘     要：本发明涉及一种制备硼或氮掺杂半导体石墨晶圆的方法，采用旋涂含有硼或氮的氧化石墨烯乙醇溶液在含有氧化硅的硅晶圆表面后加热还原的方法进行制备半导体石墨晶圆。将硼、氮掺杂的石墨晶圆作为沟道利用光刻法制备成硼掺杂石墨场效应管进行电学表征，发现硼、氮掺杂的石墨晶圆分别是P、N型半导体材料。本发明制备方法简单、可以制备大面积半导体石墨晶圆、易于规模化连续化生产，是一种具有高的载流子迁移率的半导体石墨晶圆材料，可广泛应用电子器件、传感器、射频芯片、逻辑芯片等领域。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2023/03/07	授权
  2020/05/22	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 21/02 专利申请号: 201911159264.0 申请日: 2019.11.22
  2020/04/28	公开