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摘 要:本发明公开了一种由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁性间隔层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成的人工磁耦合结构材料及其制备方法,亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II是和薄膜I同样的稀土‑过渡合金材料,通过相同的磁控溅射过程控制不同的沉积厚度制得。亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I厚度为20‑30nm,是富稀土相,易磁化方向垂直膜面;亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II厚度为3‑6nm,是富过渡相,易磁化方向为面内或者倾斜接近膜面。利用层间交换耦合作用,可实现人工结构材料的垂直负矫顽力,制备工艺简单,材料性能稳定,可以作为一种新型的磁电、磁传感器件及信息存储材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710600191.9 | 专利名称: | 一种垂直负矫顽力人工磁耦合结构材料及其制备方法 |
申请日: | 2017-07-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L43/10搜分类 结构材料 材料及其制备方法搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |