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一种碲镁镉单晶材料的制备方法、单晶材料及其应用

来源：https://www.shizifang.com 发布日：2023/09/20

摘要：本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd0.95Mg0.05Te的Cd、Mg和Te为基础原料，在基础原料的基础上加入过量的Cd或者过量的Te，再掺杂In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的碲镁镉单晶，解决了现有碲镁镉单晶制备方法复杂和尺寸偏小的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。

著录项：

专利/申请号：	CN201810386669.7 复制	专利名称：	一种碲镁镉单晶材料的制备方法、单晶材料及其应用复制
申请日：	2018-04-26	申请/专利权人	长安大学
专利类型：	发明	地址：	陕西省西安市雁塔区二环南路中段126号
专利状态：	已下证查询审查信息	分类号：	C30B11/00搜分类镁港口单晶搜索
公开/公告日：		转让价格：	面议
公开/公告号：		交易状态：	等待洽谈搜索相似专利

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专利交易流程

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专利转让材料

交易方	企业	个人
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	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

专利法律信息

日期	法律信息	备注
2021/02/09	授权
2018/11/02	实质审查的生效	IPC(主分类): C30B 11/00 专利申请号: 201810386669.7 申请日: 2018.04.26
2018/10/09	公开

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