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摘 要:本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法,包括以下步骤:将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶,对其表面进行喷砂处理,增加其表面粗糙度;从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片,对厚片表面进行喷砂,增加其表面粗糙度;在坩埚底部铺设第一厚片层;在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶,相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙;在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层;第二厚片层上铺设厚片,厚片侧壁紧密贴合,形成第三厚片层,在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等,当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时,制造一个垂直方向的温度梯度,从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202011107174.X | 专利名称: | 一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法 |
申请日: | 2020-10-16 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B11/14搜分类 铸造 底 铺设 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |