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摘 要:本发明提供了一种硅基绝缘层上非晶硅与玻璃的阳极键合方法,所述方法为:(1)在硅基底面上沉积一层绝缘层;(2)以光刻胶作掩膜,对绝缘层进行刻蚀,将硅基底面与非晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区;(3)在开设有开槽区的硅基底面的绝缘层上沉积一层非晶硅,非晶硅在所述的开槽区与硅基导通;(4)所述的非晶硅与玻璃进行阳极键合;当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时,本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构,以实现MEMS器件的电学性能保护,同时仍然保证非晶硅‑玻璃的键合强度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410104395.X | 专利名称: | 一种硅基上非晶硅与玻璃的阳极键合方法及其应用 |
申请日: | 2014-03-20 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B81C3/00搜分类 玻璃 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |