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摘 要:本实用新型公开了一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池,电池正表面的整体复合速率进一步降低,电池转换效率较高。该晶硅太阳电池包括正面电极、正面钝化层、N型硅掺杂层、P型硅基体层、背面钝化层及背面电极,背面钝化层形成于P型硅基体层背面,背面电极形成于背面钝化层上且局部穿过背面钝化层而和P型硅基体层形成欧姆接触,N型硅掺杂层形成于P型硅基体层的正面,N型硅掺杂层上形成有图形化的氧化硅薄层,氧化硅薄层上覆盖形成有N+型多晶硅层,P型硅基体层的正面为经制绒形成的绒面,正面钝化层层叠形成在N+型多晶硅层及N型硅掺杂层的其他区域上,正面电极透过正面钝化层并形成在N+型多晶硅层的上表面上和N+型多晶硅层形成欧姆接触。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
著 录 项:
专利/申请号: | CN201921593120.1 | 专利名称: | 一种正面局域钝化接触的晶硅太阳电池 |
申请日: | 2019-09-24 | 申请/专利权人 | 苏州腾晖光伏技术有限公司,常熟理工学院 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市沙家浜常昆工业园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0216搜分类 电池 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |